当目前「晶片之王」英特尔还恋战14nm的时候，台积电就宣布已经制造出10亿颗良率完好的7nm晶片；目前5nm晶片虽然已经量产，但产能还是很有限，还在持续提升中。而预计在明年开始，3nm制程将会进行风险量产，然后到2022年下半年量产。而业界估计，台积电2nm将在2023年至2024年推出。

秦永沛表示南科的晶圆18厂1至3期是5nm的量产基地，估计到2022年，5nm产能将较今年成长超过3倍。而18厂的4至6期，则是规划为3nm量产基地，目前正兴建中。而未来在新竹厂研发中心，将会有一个2nm的研发生产基地，估计将拥有8000名工程师。

值得注意的是，如果没有一步步突破核心技术壁垒，那么摩尔定律可能无法实现线性提升。比如，在如今广泛使用的FinEFT技术提出之前，Pianar FET架构下晶片制程的极限只有35nm。

Pianar FET架构的下一代是FinFET工艺，全称是鳍式场效应晶体管（Fin Field-Effect Transistor），就是在原有的晶体管架构基础上增加了一个栅极，形状有点像鱼鳍，名称也由此而来。从诞生到现在的二十年间，FinEFT技术已经让晶片工艺节点制程最高突破到3nm。

不过，3nm几乎已经逼近FinFEt的极限，再往下发展，无论是鳍片距离、短沟道效应还是材料已经到达阈值，如果没有改变架构，晶片可能连物理结构都构不成。

所以，这次台积电的2nm制程用了全环绕栅(gate-all-around，简称GAA)技术，作为FinFET技术的演进，这也可以用来继续抑制短沟道效应的技术。

同样，三星的3nm也选择了采用GAA技术。目前主流晶片厂商包括三星、台积电、英特尔和中晶国际等，都对GAA技术表示兴趣、或是已开始试产。在GAA技术的兴起下，下一代高阶晶片的厮杀也将拉开序幕。

 

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