1nm会是晶元的终点吗？
如题
不会，现在特征尺寸就是个代号，1nm之后照样能0.7nm、0.5nm、0.3nm一路做下去。只要密度、性能有30%-50%的提升就可以是新一代工艺，至于沟道的物理尺寸有没有真的乘0.7大家并不在乎。
这样的问题意义会越来越小了，其一除了进一步做小晶体管尺度而外，已经和未来都会出现很多其它办法去提升晶元集成度。其二制程密度现在已经带来量产成本巨高的现象，所以有多少用户的应用会乐意承担这样的成本是个大问号。
节点不是终点，一个方向往3D纬度发展，还要综合考虑商业价值。
不好说，目前所谓的5nm与7nm之前那些相比，制程红利已经越来越小了，太小的晶体管容易被击穿，具体请直接搜索看相关信息，1nm那个制程，击穿必然更多，而且成本会更加高昂。个人认为，未来硅晶片会被淘汰，会有别的更优良的替代产品。
一个硅原子的尺度大概0.1nm，如果硅基MOS管仍然采用源-栅-漏三端结构的话，整个MOS管宽度最小就是0.3nm。沟道长度最小就是一个硅原子的尺度，所以0.1nm应该就是物理极限了。至于真正的极限就要看充满智慧的工艺人了。
不会。科技只会越来越发达，晶元设计也会随著科技的发展而不断创新与突破。
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杨昊不会，可能人脑才是终点。
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