如何看待台积电2nm制程采用MBCFET架构，或2024年实现量产，会对晶元产业产生什么影响？
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台积电2nm制程取得重大突破，或2024年实现量产?www.niaogebiji.com详细信息：
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T家今年的技术研讨会内容前段时间已经被semiwiki报了，下图来源于semiwiki。
GAA SRAM良率破零。不过上面T家的切片图像是战略忽悠，这个nano-sheet和上面metal contact的形状尺寸感觉怪怪的。T和S两家的代工竞争会一直延续下去，而且T会略领先S一点。节点的名字3/2nm只是名字而已，最终产品的性能功耗面积才是重要参数。另外I家没什么看头，作为IDM没有资源去搞很多工艺迭代。桌面玩家也许会逐渐失宠。
附送个IEEE IRDS 2020，尺寸怎么演进都写得八九不离十。在碰到量子极限之前，沟道材料尺寸可能都撑不过湿法工艺。而且没哪家会去碰量子这个鬼东西，费钱费力。
首先这个新技术我看了半天才看懂，果然是够厉害。
影响我估计2nm也就是极限了吧，再往下估计就是要移动原子了，量子效应不可避免。
只能说一句：台积电确实厉害
要是湾湾被收复了，tsmc不知道有没有机会搞过来给我们做事（想想而已）
我个人还是对GAA量产持怀疑态度（IBM在copper interconnection/low-k的量产经验缺乏就把umc给坑了，这次GAA把Samsung再坑的可能性也很高）。再说GAA的inner spacer要做到12inch的精确可控的刻蚀还是很困难的，到时候inner spacer的device-to-device 和wafer-to-wafer的variation让GAA的良率一直过不了7成，那跟9成以上良率的FinFET比就没那么香了。
tsmc选在Samsung量产GAA一年后再上，至少可以从苹果那知道三星GAA是怎么个报价，要是良率辣眼睛，自己的大船还有时间缓冲和调头。
没啥影响 叮嘱PD的袭击 再谈生存
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