如何看待臺積電2nm製程採用MBCFET架構，或2024年實現量產，會對晶元產業產生什麼影響？
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臺積電2nm製程取得重大突破，或2024年實現量產?www.niaogebiji.com詳細信息：
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T家今年的技術研討會內容前段時間已經被semiwiki報了，下圖來源於semiwiki。
GAA SRAM良率破零。不過上面T家的切片圖像是戰略忽悠，這個nano-sheet和上面metal contact的形狀尺寸感覺怪怪的。T和S兩家的代工競爭會一直延續下去，而且T會略領先S一點。節點的名字3/2nm只是名字而已，最終產品的性能功耗面積纔是重要參數。另外I家沒什麼看頭，作為IDM沒有資源去搞很多工藝迭代。桌面玩家也許會逐漸失寵。
附送個IEEE IRDS 2020，尺寸怎麼演進都寫得八九不離十。在碰到量子極限之前，溝道材料尺寸可能都撐不過濕法工藝。而且沒哪家會去碰量子這個鬼東西，費錢費力。
首先這個新技術我看了半天才看懂，果然是夠厲害。
影響我估計2nm也就是極限了吧，再往下估計就是要移動原子了，量子效應不可避免。
只能說一句：臺積電確實厲害
要是灣灣被收復了，tsmc不知道有沒有機會搞過來給我們做事（想想而已）
我個人還是對GAA量產持懷疑態度（IBM在copper interconnection/low-k的量產經驗缺乏就把umc給坑了，這次GAA把Samsung再坑的可能性也很高）。再說GAA的inner spacer要做到12inch的精確可控的刻蝕還是很困難的，到時候inner spacer的device-to-device 和wafer-to-wafer的variation讓GAA的良率一直過不了7成，那跟9成以上良率的FinFET比就沒那麼香了。
tsmc選在Samsung量產GAA一年後再上，至少可以從蘋果那知道三星GAA是怎麼個報價，要是良率辣眼睛，自己的大船還有時間緩衝和調頭。
沒啥影響 叮囑PD的襲擊 再談生存
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