SSD 和记忆体有望越来越便宜，Micron 96 层 NAND 与 1Y nm DRAM下半年出货量产

各位读者已经可以观察到，SSD 今年开始越来越便宜，记忆体也有望逐步下调。Micron 于近日的线上财务说明会议，表示下一世代 96 层 3D 堆叠 NAND 快闪记忆体将于今年下半年开始量产出货，而 1Y nm DRAM 也会在同期量产出货。

Micron 近期的财报均交出不错的成绩单，但对读者而言，能够出现便宜的产品让消费者选购似乎更为实际一些。近日 Micron 举办 2018 第三季会计年度线上财务说明会议，本季营业额达美金 78 亿元，相比去年同期提升 40％，相较上一季也增长 6％。

除了优异的财报结果之外，该公司第三代 3D 堆叠 64 层 NAND 快闪记忆体，预计将于今年第二季开始量产出货，成本近一步下调。该公司也对第四代 3D 堆叠快闪记忆体产品表示开发进度良好，将继续使用 Replacement Gate 制程和 CMOS under the array 结构。

▲3D 堆叠 96 层快闪记忆体和 1y 奈米动态记忆体，均预计于今年下半年量产出货。

Micron 手中另一项重要产品 DRAM 动态记忆体，1x（18）奈米制程预计下半年将成为量产主力，1y（14～16）奈米制程也将于下半年量产出货，更进一步的 1Z（12～14）奈米或是 1α 也在开发当中。在中国邀请记忆体生产厂商喝咖啡之后，记忆体售价涨势受到一定程度的压抑，对于终端消费市场而言，只要未来没有什么重大状况（譬如封装测试厂失火之类的），这态势或许会延续到下半年。