【Yahoo论坛／刘佩真】从Micron中国销售遭禁看山雨欲来的记忆体混战

作者为台湾经济研究院产经资料库副研究员

联电与Micron的专利诉讼战，起源于联电2016年接受中国福建晋华委托开发DRAM记忆体的相关技术，晋华提供设备与资金，联电提供技术并取得报酬金，不过尔后联电与Micron则展开双方互告的局面。

后续2018年7月初，联电宣布中国福州中级人民法院对Micron提出禁止令，要求Micron停止销售包括固态硬碟、内存在内的26款DRAM和NAND相关产品，此事件除将对全球记忆体价格上涨及相关的竞争者创造有利环境、但对其合作封测厂相对不利之外，该事件亦被市场视为中兴事件及中美关税对垒的延续，未来可成为中国对美方的谈判筹码，更是为2018~2019年中国即将量产的记忆体争取发展的空间，毕竟对岸记忆体制造目前在专利技术授权方面仍有疑虑。

不过仍须留意美国是否从而扩大对中国及我湾半导体产业的反制，毕竟2017年底Micron在美国加州也对联电提起民事诉讼，控告联电侵害Micron营业秘密，故此部分的判决也备受市场高度关注。

而由于Micron的DRAM总产能中，约有26%由中国内需市场进行消化，如考虑到通过代理或其他管道进入中国相关企业的销售，占比恐超过40%，甚至若以销售额来看，在中国Micron有近150亿美元，仅次于Intel在中国的销售额，因此Micron中国销售遭禁，对Micron形成负面影响，而未来是否牵动Samsung、SK Hynix、Micron、WD、Toshiba、Intel之间的市占率，将端视后续的判决而定，毕竟Micron仍有上诉的权利，且中美贸易战依旧处于且战且谈的局面；但不可否认的是，从Micron中国销售遭到禁制的情况来看，亦不难看出即将跨入记忆体制造市场的中国，恐将在全球市场掀起涟漪。

事实上，身为一年产值超高1,200亿美金的记忆体产业，在目前各项装置在资料对计算性能和存储容量的需求持续拉动，甚至未来新兴科技领域的记忆体搭载量倍增之环境下，记忆体仍将是全球半导体产值提升的核心关键，更是韩国、美国、中国、台湾的兵家必争之地，故中国近期在记忆体市场动作频频。

除近期Micron中国销售遭禁事件之外，2018年5月中国突袭调查Samsung、SK Hynix、Micron等国际DRAM大厂，调查内容主要涉及近年DRAM价格飙涨和业界反映的产品搭售问题，名目虽是以反垄断的名义来进行约谈，但市场多认为中国实质恐是希望在中国记忆体厂即将量产的关键时刻，期望国际三大记忆体厂能够在专利的部分给予中国厂商一些空间，借此换取谈判的筹码。

整体来说，虽然长江存储先前已释出讯息，说明可望将于2018年10月开始小量生产堆叠32层3DNAND，而合肥睿力与兆易创新、福建晋华试产时程将会落于2018年第三季，量产则暂定在2019年的上半年，时程皆较原市场预期落后，显然中国记忆体是否能于2018年底~2019年初正式进入量产并销售的阶段，仍有待后续观察，毕竟目前DRAM及NAND Flash的专利都掌握在国际大厂手中，况且累积数量可观、范围广泛的专利资产，中国业者很难在不侵犯这些专利的条件下，顺利开发DRAM与NAND Flash产品，意即在没有获得授权技转情况下很容易发生侵权，况且记忆体制程推进速度快，在没有经验的情况下，要建立生产线并进入量产投片阶段的难度大增，此外，中国记忆体业者虽然尝试透过延揽任职于其他公司的工程师，带来相关知识以提升技术，但此做法存有引发诉讼等各种问题的可能性。