工商时报【涂志豪╱台北报导】

智慧型手机虽然追求轻薄短小,但规格却朝向全萤幕及高解析度面板、内建人工智慧(AI)运算核心的应用处理器、搭载4G/5G高速网路等方向发展,在提高锂电池的容量密度外,可缩短充电时间的快速充电功能已成为主流。快充功能除推升快充控制晶片销量,也带动金氧半场效电晶体(MOSFET)及静电防护元件(ESD)等需求快速成长。

近年来智慧型手机的发展趋势,包括搭载更大尺寸萤幕、更高萤幕解析度、更快的应用处理器、及高速4G/5G电信网路等,在硬体规格不断提升的情况下,手机耗电量也愈来愈高。为了兼顾手机轻薄外观,目前主流的锂电池容量设计约3,000∼4,000mAh(每小时毫安培)为主流,能够缩短充电时间的快充技术应运而生。

目前主要的智慧型手机快充技术,包括由USB-IF制定的USB-PD快充协定,由手机晶片厂高通提出的Quick Charge技术,以及由联发科提出的Pump Express技术。另外,手机厂华为推出Super Charge协定,OPPO则推出VOOC闪充协定。

而在手机快充技术发展上,各手机厂与合作伙伴持续开发新一代更快的充电协议及硬体技术,其中最受到市场瞩目的,就是业界传出苹果下半年新iPhone将原厂随附USB-C快充套件,包括USB-C转Lightning传输线及18W充电器,直接将有线快充功能列为标准配备。

在三星、华为等Android阵营手机厂陆续将快充列为标准配备,且新款手机均搭配原厂快充配件,年底若苹果iPhone也原厂随附快充套件,将会带动手机快充套件及周边设备市场出现爆发性成长。

至于近年来智慧型手机将MOSFET当成切换电源的主要功率元件,快充功能的推陈出新,自然会带动MOSFET的强劲需求,而且新一代采用氮化镓(GaN)电晶体的元件推出,更可让切换电源的体积大幅缩小。此外,由于不同的充电或传输功能整合在同一台手机中,为防止静电放电问题造成系统运作不良或烧毁,需要用到的ESD元件数量也出现倍数增加情况,法人点名晶焱、敦南可直接受惠。

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