工商時報【塗志豪╱臺北報導】

智慧型手機雖然追求輕薄短小，但規格卻朝向全螢幕及高解析度面板、內建人工智慧（AI）運算核心的應用處理器、搭載4G/5G高速網路等方向發展，在提高鋰電池的容量密度外，可縮短充電時間的快速充電功能已成為主流。快充功能除推升快充控制晶片銷量，也帶動金氧半場效電晶體（MOSFET）及靜電防護元件（ESD）等需求快速成長。

近年來智慧型手機的發展趨勢，包括搭載更大尺寸螢幕、更高螢幕解析度、更快的應用處理器、及高速4G/5G電信網路等，在硬體規格不斷提升的情況下，手機耗電量也愈來愈高。為了兼顧手機輕薄外觀，目前主流的鋰電池容量設計約3,000∼4,000mAh（每小時毫安培）為主流，能夠縮短充電時間的快充技術應運而生。

目前主要的智慧型手機快充技術，包括由USB-IF制定的USB-PD快充協定，由手機晶片廠高通提出的Quick Charge技術，以及由聯發科提出的Pump Express技術。另外，手機廠華為推出Super Charge協定，OPPO則推出VOOC閃充協定。

而在手機快充技術發展上，各手機廠與合作夥伴持續開發新一代更快的充電協議及硬體技術，其中最受到市場矚目的，就是業界傳出蘋果下半年新iPhone將原廠隨附USB-C快充套件，包括USB-C轉Lightning傳輸線及18W充電器，直接將有線快充功能列為標準配備。

在三星、華為等Android陣營手機廠陸續將快充列為標準配備，且新款手機均搭配原廠快充配件，年底若蘋果iPhone也原廠隨附快充套件，將會帶動手機快充套件及週邊設備市場出現爆發性成長。

至於近年來智慧型手機將MOSFET當成切換電源的主要功率元件，快充功能的推陳出新，自然會帶動MOSFET的強勁需求，而且新一代採用氮化鎵（GaN）電晶體的元件推出，更可讓切換電源的體積大幅縮小。此外，由於不同的充電或傳輸功能整合在同一臺手機中，為防止靜電放電問題造成系統運作不良或燒毀，需要用到的ESD元件數量也出現倍數增加情況，法人點名晶焱、敦南可直接受惠。