在选择低压降线性调节器LDO晶元时，需要考虑的基本问题包括输入电压范围、预期输出电压、负载电流范围以及其封装的功耗能力。但是，携带型应用需要考虑更多问题。接地电流或静态电流（IGND或IQ）、电源波纹抑止比(PSRR)、杂讯与封装大小通常是为携带型应用决定最佳LDO晶元选择的要素。

　一、输入、输出以及降低电压

　　选择输入电压范围可以适应电源的LDO晶元。下表列出了携带型设备所采用的、流行的电池化学物质的电压范围。

　　在确定LDO晶元是否能够提供预期输出电压时，需要考虑其压降。输入电压必须大于预期输出电压与特定压降之和，即VIN>VOUT+VDROPOUT。如果VIN降低至必需的电压以下，则我们说LDO晶元出现"压降"，输出等于输入减去旁路元件(pass element)的RDS(on)乘以负载电流。

　　需要注意压降时的性能变化。驱动旁路晶体管的误差放大器完全打开或者出于"待发状态"(cocked)，因此不产生任何环路增益。这意味著线路与负载调节很差。另外，PSRR在压降时也会显著降低。

　　二、封装与功耗

　　携带型应用本质存在空间限制，因此解决方案的大小至关重要。裸片可以最小化尺寸但是缺乏封装的诸多优势，如：保护、行业标准以及能够被现有装配架构轻松采用等特性。晶元级封装(CSP)能在提供裸片的尺寸优势的同时还可以带来封装的许多优势。

　　在无线手持终端市场需求的推动下，CSP产品正不断推陈出新

　　其他小型封装包括流行的3x3mm SOT-23、小型2.13x2.3mm SC-70以及亚1毫米高度封装(sub-1-mm-height package)、ThinSOT及无引线四方扁平封装(QFN)。由于在下侧采用了能够在器件与PC板之间建立高效散热接触的散热垫，QFN因而可提供更好的散热特性。

　　请注意不要超过封装的最大功耗额定值。功耗可以采用PDISSIPATION=(VIN-VOUT)/(IOUT+IQ)进行计算。一般来说，封装尺寸越小，功耗越小。但是QFN封装可以提供极佳的散热性能，这种性能完全可与尺寸是其1.5～2倍的众多封装相媲美。

　　三、输出电容器

　　典型LDO晶元应用需要增加外部输入和输出电容器。选择对电容器稳定性方面没有要求的LDO晶元，可以降低尺寸与成本，另外还可以完全消除这些元件。

　　请注意，利用较低ESR的大电容器一般可以全面提高PSRR、杂讯以及瞬态性能。

　　陶瓷电容器通常是首选，因为它们价格低而且故障模式是断路，相比之下钽电容器比较昂贵且其故障模式是短路。请注意，输出电容器的等效串联电阻(ESR)会影响其稳定性，陶瓷电容器具有较低的ESR，大概为10豪欧量级，而钽电容器ESR在100豪欧量级。另外，许多钽电容器的ESR随温度变化很大，会对LDO性能产生不利影响。如果温度变化不大，而且电容器和接地之间串联适当的电阻（一般200m），可以取代陶瓷电容器而使用钽电容器。需要咨询LDO厂商以确保正确的实施。

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