长江存储将发布新一代NAND快闪记忆体 技术先进程度大超业界预料

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国产存储器厂商长江存储今天向业界发布了一项突破性的技术架构——XtackingTM，3D NAND快闪记忆体晶元基于该技术之上将获得空前高的I/O性能，更高的存储密度，更短的产品上市周期。据长江存储称，若是采用XtackingTM技术，那么就可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。而这样的加工方式更利于选择合适且先进的逻辑工艺，从而使得NAND快闪记忆体获取更高的I/O介面速度和更多的操作功能。存储单元也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的XtackingTM技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA（Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道）将二者键合接通电路，带来的成本增加则相对有限。

XtackingTM技术充分利用了存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行、模块化的产品设计及制造。于是，产品开发的时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。此外，这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND快闪记忆体的定制化提供了可能。目前，长江存储在研发第二代3D NAND快闪记忆体晶元上便成功地应用了XtackingTM技术。并且，该产品初步估计是在2019年进入到量产阶段。长江存储预期，XtackingTM技术未来将可用智能手机、个人PC、数据中心和企业应用等领域，还将开启高性能、定制化NAND快闪记忆体解决方案的时代。

长江存储CEO杨士宁博士说：「目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。」

业内知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong则表示：「随著3D NAND持续更新换代，在单颗NAND晶元存储容量大幅提升后，要维持或提升相同容量SSD的性能将会越来越困难。若要推动SSD的性能继续提升，更快的NAND I/O速度及多plane并行操作功能将是必须的。」

另据「电子工程专辑」今天报道，长江存储CEO杨士宁将在本周于加州举行的快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit）上、向业界介绍该款3D NAND快闪记忆体架构技术。并且，这也象征著中国本土厂商第一次能与全球业界公开讨论关于生产先进存储器的计划。

「电子工程专辑」进一步分析，如果长江存储的目标保持不变，那么该厂商跟国际上大型竞争对手之间的差距将只差一、两步。英特尔、美光、三星、东芝/西部数据等厂商均已向市场发布或正出货96层、每单元4位的组件。三星还称自家的晶元可达到类似DDR4的速度——约1.4Gbits/s。而值得补充的是，三星曾率先在快闪记忆体高峰会上发布商用3D NAND晶元，然而，今年三星并未参与此次活动。三星的缺席，让长江存储在所有主要的快闪记忆体供应商均参与的展会上，很自然地成为了一大热门话题。