晶體管全稱雙極型三極體(Bipolar junction transistor,BJT)又稱晶體三極體,簡稱三極體,是一種固體半導體器件,可用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製等。晶體管作為一種可變開關.基於輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可用作電流的開關。和一般機械開關(如Relay、switch)不同的是:晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度非常快,在實驗室中的切換速度可達100吉赫茲以上。

晶體管按其結構分為NPN型和PNP型兩類。晶體管結構與符號如圖所示。它們都有三個區:集電區、基區、發射區;從這三個區引出的電極分別稱為集電極c(Collector)、基極b(Base)和發射極e(Emitter)。兩個PN結:發射區與基區之間的PN結稱為發射結J,基區與集電區之間的PN結稱為集電結J

  兩種管子的電路符號的發射極箭頭方向不同,箭頭方向表示發射結正偏時發射極電流的實際方向。

  應當指出,晶體管絕不是兩個PN結的簡單連接。它採用了以下製造工藝:基區很薄且摻雜濃度低,發射區摻雜濃度高,集電結面積比發射結的面積大等。這些都是為了保證晶體管具有較好的電流放大作用。

  由於晶體管在結構上有這些特點,所以不能用兩個

二極體

背向連接來說明晶體管的作用,在使用時發射極和集電極一般不能互換。

  晶體管種類很多。除上述的按結構分為NPN型和PNP型外,按工作頻率可分為低頻管和高頻管;按功率大小可分為小功率管、中功率管和大功率管;按所用

半導體材料

分為硅管和鍺管;按用途分為放大管和開關管等。晶體管命名方法參閱附錄B表B一-1。例如3AX31B為鍺材料PNP型低頻小功率晶體管,序號為31,規格號為B。3DG6C為硅材料NPN型高頻小功率管,序號為6,規格號為C。3DA2A為硅材料高頻大功率晶體管,序號為2,規格號為A。

  


晶體管,英文名(transistor), 它是一種固體半導體器件,也是電控開關常用的一個器件。它的放大作用和開關作用也促使電子技術的飛躍發展。

在早些年,真空管計算機都達到了極限,為了降低成本和大小,同時提高可靠性和速度,我們需要一種新的電子開關。在1947年,貝爾實驗室科學家發明了晶體管,一個全新的計算機時代誕生了,晶體管的物理學也相當複雜,牽扯到量子力學,簡單來說,它是一個開關,可以用線路來控制開或者關,晶體管有兩個電極,電極之間有一種材料隔開了它們,這種材料有時候導電,有時候不導電,這就叫「半導體」。

而在2016年,美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員利用碳納米管和二硫化鉬材料成功研製出柵極長度僅為1納米遠低於硅基晶體管柵極長度最小5納米的理論極值的晶體管,成為了計算技術界的一重大突破。


晶體管又叫半導體晶體管,什麼是半導體,首先對電來講,主要有三種類型,如電能從銀銅鋁鐵等物體流過的為導體,能把電流可靠攔住或切斷的為絕緣體,如橡膠,塑料,陶瓷,雲母等。又在似導非導之間稱為半導體,如硅,鍺,硒等。非半導物體內部晶體都排列無規律,而半導體物體內部晶體按一定的晶體結構且有規律整齊排列著,因此晶體管又叫半導體晶體管。bxy

晶體管的作用非常大,自無線電發現至今一百年多點,世界所有發明發現走在最前線的就是電子,世界上每一學科都有其存在。


46年巴丁,肖克萊,布拉頓三人將金屬鍺提純至本徵型,即達到11個9,拉成單晶,滲雜3價和5價金屬,製成PNP型三極體,同電子管一樣有電流放大作用,由於是呈晶體結構,所以稱晶體管,後來3人因此獲諾貝爾物理獎


晶體管,(transistor),是一種固體半導體器件,可以用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關,基於輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關,和一般機械開關(如Relay、switch)不同處在於晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。嚴格意義上講,晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,包括各種半導體材料製成的二極體、三極體、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極體。


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