有鉴于 DRAM 的资本支出在今年高速成长，记忆体类别跃升成为 2018 年全球半导体资本支出的最大比重。

IC Insights 预测，今年半导体资本支出总额将增加至 1020 亿美元，首次突破 1000 亿美元。相比去年的 933 亿美元相比，成长了 9%，也比 2016 年成长了 38%。

根据报告显示，有超过一半的资本支出预计用于记忆体生产，主要是 DRAM 和闪存记忆体，以及对现有晶圆厂线和全新制造设备的升级。总体来说，今年记忆体将占整体半导体资本支出的 53%。记忆体的资本支出比重，在六年内大幅增加，几乎翻了一倍。从 2013 年的 27%(147 亿美元) 增加到 2018 年的半导体总资本支出的 53%(540 亿美元)，达到 30% 的复合年增率 (2013-2018)。

在主要产品类别中，DRAM / SRAM 的支出预计增加幅度最大。而闪存记忆体则将成为今年资本支出的最大比重。预计 2018 年 DRAM / SRAM 类别的资本支出将出现 41% 的成长，这是继 2017 年强劲的 82% 成长后又一波增幅。而 2018 年闪存记忆体类别的资本支出将成长 13%，相较 2017 年同期的 91%。

然而，在经过两年的资本支出大幅增加后，市场开始担忧，高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下跌。根据记忆体市场的历史经验，过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。IC Insights 认为，未来 3D NAND 快闪记忆体市场未来很可能供过于求，而且这样的风险正在持续增长中。