在系统设计与调试中,某些参数需要经常调整,并希望看到参数变化对极点位置的影响。如果每改变一次参数就求解一次特征方程,这将是十分繁琐与困难,尤其是对高阶方程。

1、根轨迹:某参数由 0
ightarrowinfty 连续变化时,系统特征根在S平面上随之连续变化的轨迹曲线。

由特征方程:1+G_k(s)=0,有G_k(s) left(=K_gfrac{Pi_{j=1}^m (s+z_j)}{Pi_{i=1}^n (s+p_i)}
ight)=-1,式中-z_j为开环零点,-p_i为开环极点,K_g为开环增益。

常规根轨迹:若开环增益 K_g:0
ightarrow infty连续变化时,系统特征根随之连续变化的轨迹。

2、根轨迹与系统性能关系

①稳定性:根轨迹停留在S左半平面的K_g 就是使系统稳定的增益;根轨迹与虚轴相交时的 K_g 就是使系统临界稳定的增益;根轨迹进入S右半平面的 K_g 就是使系统不稳定的增益。

②动态性能: K_g 某个值让特征根位于S左半平面的实轴上,此刻系统为过阻尼系统,阶跃响应为非周期过程;K_g 某个值让特征根重合位于S左半平面的实轴上,此刻系统为临界阻尼系统,阶跃响应为非周期过程,但响应速度变快;K_g 某个值让特征根位于S左半平面的复数点上,此刻系统为欠阻尼系统,阶跃响应为阻尼振荡过程,超调量将随 K_g 增大而加大,但调节时间变化不大。

③稳态性能:如果无/一个/两个特征根位于原点,则系统为0型/I型/II型系统,此刻的增益K_g 为误差系数,借助稳态误差表容易求出稳态误差。

3、绘制根轨迹

规则一:根轨迹的连续性。

规则二:根轨迹的对称性。规则三:根轨迹的条数(分支数):系统有几个特征根就有几条根轨迹,故系统阶数为根轨迹的条数。

K_gfrac{Pi_{j=1}^m (s+z_j)}{Pi_{i=1}^n (s+p_i)}=-1 Leftrightarrow A)K_gfrac{Pi_{j=1}^m left| s+z_j 
ight|}{Pi_{i=1}^n left| s+p_i 
ight|}=1; B) anglePi_{j=1}^m ( s+z_j )-angle{Pi_{i=1}^n left| s+p_i 
ight|}=-180^circ

规则四:根轨迹的起点和终点:根据条件 A)frac{Pi_{j=1}^m left| s+z_j 
ight|}{Pi_{i=1}^n left| s+p_i 
ight|}=frac{1}{K_g},当 K _g=0时, s=-p_i 条件才成立,即根轨迹起于开环极点;当 K_g 
ightarrow inftys 
ightarrow z_js
ightarrow infty 条件才成立,即根轨迹终于开环零点(有限零点)或无穷远处(无穷零点)。根轨迹始于开环极点,结束于零点。

规则五:实轴上的根轨迹 :实轴上的某一线段/射线,若其右边开环零点与极点个数之和为奇数,则该线段/射线属于根轨迹。因为实轴的根总满足 anglefrac{N(s)}{D(s)}=-180^{circ}pm360^{circ}n

规则六:根轨迹的分离点与分离角:分离点意味著特征值重根,即 D(s)(=1+G_k(s))=0,dot D(s)=0 ,整理有 Sigma^nfrac{1}{s+p_i}=Sigma^mfrac{1}{s+z_j}。若有 l 条轨迹参与会合分离,那么分离角 frac{(2k+1)pi}{l},k=0,1,...,l-1规则七:根轨迹与虚轴交点:令交点为 (0,pm jw) 代入特征方程求解 w规则八:根轨迹的渐近线:有 n-m 条根轨迹趋于无穷远处零点就有 n-m 条渐近线。

渐近线的点斜式:角 frac{(2k+1)pi}{n-m},k=0,1,...,n-m-1,点 sigma=frac{极点和-零点和}{n-m}

规则九:根轨迹的起始角与终止角:由相角条件B)有起始角: 	heta_{pk}=lim_{s 
ightarrow -p_k}{(s+p_k)}=-180^circ+lim_{s 
ightarrow -p_k}{[Sigma^m_j(s+z_j)-Sigma^n_{i
e k}(s+p_i)]} 终止角: 	heta_{zk}=lim_{s 
ightarrow -z_k}{(s+z_k)}=-180^circ-lim_{s 
ightarrow -z_k}{[Sigma^m_{j
e k}(s+z_j)-Sigma^n_i(s+p_i)]}

规则十:根之和: D(s)=1+G_k(s)=s^n+a_{n-1}s^{n-1}+...+a_1s+a_0=0。由二次项定理有:根之和=a_{n-1}(定值)。随 k_g 增大,一些特征根增大,另一些特征根必减小。


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