市售NAND顆粒信息參考
目前具備生產顆粒的廠商：
東芝（與閃迪技術共享），海力士，三星，IMFT（鎂光與intel共享）
東芝（閃迪）製程：
24nm-19nm-A19-15nm
24nm：傳統eMLC，平面MLC
19nm：平面MLC，平面TLC
A19：堆疊MLC，堆疊TLC
15nm：BiCS（BiCS不僅僅用於15nm製程）MLC，TLC，QLC
三星製程：
27nm-21nm-40nm
27nm：老舊MLC（基本遇不到）
21nm：平面MLC，TLC
40nm：V-NAND（三星V-NAND製程不明確，民間流傳官方宣稱介於30-39nm之間，大部分主流網站記錄為40nm製程，三星V-NAND官方文檔經常提及30-40nm（但未明確說明使用），無30-39nm字眼。
海力士製程：
26nm-16nm
海力士製程消息較少，無法確認。
IMFT：
20nm-16nm
20nm：傳統平面NAND（3D-Xpoint無論堆疊都使用此工藝）
16nm：傳統平面NAND，3D NAND
其他提點：
一般而言，傳統平面NAND的容量不會超過1024Gb（intel，三星大部分符合此規律）
一些低容量的SSD如果暴力採用堆疊NAND，將會出現性能暴跌的問題（無法完全利用主控通道），如某些雜牌的單顆粒的1T SSD。以及整體產線採用3D NAND，卻在低容量改為平面NAND的品牌SSD（SM951 256G及以下為平面MLC，以上為V NAND）
平面NAND不代表只能由一個DIE（這個DIE是指一顆實際的晶圓NAND顆粒，而不是肉眼可見的成品NAND顆粒）組成。也就是說NAND可以有縱向與橫向發展兩種方向。
東芝的製程在容量後兩個字母中，K為A19，L為15nm，數字為15nm 3D NAND。
參考：
List of Intel SSDs
https://techinsights.com/technology-intelligence/overview/latest-reports/intel-micron-64l-3d-nand-analysis/
INTEL OPTANE SSD 905P 960GB 評測
Intel SSD 540s Review - Our First Look At The SM2258
浮柵技術不靠譜？Intel和美光因為NAND架構鬧翻！ - 存儲器 - 半導體行業觀察
https://www.eetimes.com/author.asp?section_id=36&doc_id=1319041
https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi.static/2bit_V-NAND_technology_White_Paper-1.pdf
英特爾S3510固態硬碟拆解評測_網易訂閱
https://www.skhynix.com/eng/product/nandRaw.jsp
https://www.eettaiwan.com/news/article/20180517NT01-Micron-1x-DRAM-Examined
What SSDs besides Samsung 840 use planar TLC NAND?
NAND新時代起點，三星V-NAND技術詳解 - 超能網
Samsung Launches New 970 Evo and 970 Pro SSDs
都 2018 年了，我們是否還要談 TLC SSD 色變？
Toshiba XG3 M.2 PCIe SSD Review: An OCZ RevoDrive 400 Primer
推薦閱讀：
