應用、原理、選材等等等等

這些濺射在我們電機學院里很常見，除了你說的三種濺射方式，還有交流滋磁濺射，直流滋磁濺射等其他一系列濺射，請注意下面這張配圖，這張圖是解答你問題的關鍵－－右手螺旋定則!磁控濺射就是通過下面的方式確定電流和磁場方向而控制氬原子在目標物上沉積的，這種沉積的方式往往和E和B存在直接關聯（物理符號，相信理解不困難故不解釋），它可以使沉積速率提高，降低靶材溫度，是最吼最簡單的選擇!而直流濺射這個缺點就很明顯了，他只能製備半導體材料且無法中和電子造成電子加速慢，電離程度小等微小而致命的問題而直流磁控可以避免它的弱點，可以說是升級版的直流濺射，所以一般來說直流磁控用的多啦。如果題主感興趣的話，可以研究一下雙流向滋磁濺射，交通大學出版社曾經出過一本大學教材，至於名字嘛太過久遠，無可奉告了，題主可以自行尋找，謝謝

謝邀吧……雖然我用過，但真說起原理來還是要上小木蟲上複習/自學一遍才敢強答。首先說這三個都是物理氣相沉積。簡單原理是利用高電壓電離出來的Ar離子轟擊靶材，使得靶材原子濺射出來並沉積在基片上。這個過程一般會在靶材後加磁場來提高濺射效率，這就叫磁控濺射。不加磁場的不太了解。

磁控濺射按照電源不同分為直流和射頻兩種。直流磁控濺射是直流輝光放電，適用於導體，比如說金屬，特點是比較快。

射頻磁控濺射是射頻放電，對導體半導體絕緣體都適用，比如說可以用於濺射氧化物。

作為曾經的pvd process engineer簡單答一答

pvd（包括問題中的三種）都大同小異，基本原理就是利用離子化粒子轟擊靶材，靶材表面粒子脫落 進而在襯底沉積形成薄膜；

差異是如何離子化入射氣體或者約束靶材粒子提高入射粒子靶材利用率，薄膜平整度等等；

dc only sputtering 講白了就是正負極通電之後，立刻霸王硬上弓，可見效率之低，範圍窄；dc magetron有了磁場輔助，提高了ionization rate，降低能量要求門檻，不過dc 限於導體/金屬，否則迴路不閉合；rf magetron sputtering範圍更廣一些，可以做semi/insulator sputter，但系統設計包括電路，磁場，機械等等的難度增加很多，所以目前國內的pvd設備主力都是dc sputtering

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