【Yahoo论坛／刘佩真】全球DRAM市况成长趋缓格局浮现

作者为台湾经济研究院产经资料库副研究员

相较于NAND Flash市场自2018年初开始已出现反转向下态势，2018年上半年全球DRAM景气尚优于原先市场预期，但在供给端逐步释出之下，2018年下半年DRAM价格上涨幅度将明显未如先前强劲，而2019年态势将更为显著，显然全球DRAM市况成长趋缓格局已浮现。

事实上，尽管库存尚未达到安全水位，因此买方急欲增加库存水位以及2018年第三季传统旺季需求来临，仍有相对稳健的拉货动能，惟2018年第三季DRAM价格调涨幅度已显趋缓，主要是有鉴于在乙太币价格回升到一定水位，或在支援高颗数记忆体的全新挖矿机种出现前，其所带起的记忆体拉货热潮恐暂告一段落，加上DRAM供给位元成长已呈现逐季增加，特别是各供应商陆续转进1X或1Y奈米制程，且良率开始逐渐获得改善所致。

至于2018年第四季，原先市场预期DRAM价格恐开出个位数小幅下跌的局面，主要系随著供给持续增加，需求则不见明显回温之下，2018年第四季DRAM市况恐转弱，所幸在考量自家集团最重要的记忆体获利表现之际，Samsung原本规划在旗下LINE 16厂二楼进行扩产，建置一条月产6.5万片新产线，并于上半年完成第一阶段每月增产3.5万片，原订2018年第三季再增加另外的3万片，但此计划已决定延至2018年12月再视情况启动，显然全球DRAM龙头厂商的延后扩产，将可望使2018年第四季DRAM市况有机会优于预期。

若以2019年全球DRAM市场的展望来看，尽管手机配备持续提高、资料中心布建，且5G、人工智慧的应用扩大及各种云端服务增加，皆将持续推升DRAM的需求端，但在各厂商持续转进1X/1Y制程，且良率将持续获得改善与提升，以及SK Hynix无锡新厂、Samsung LINE 16厂均陆续开始投片的影响下，2019年全球DRAM供给位元成长幅度恐将大于需求端，故预估整体DRAM价格将由2017~2018年的上涨格局转为下跌局面，跌幅至少在一成以上，全球DRAM销售额在2018年达到1,016.20亿美元的高峰之后，2019与2020年将难有先前亮丽的表现。

值得留意的是中国发展记忆体的情势，除NAND Flash阵营的长江存除外，与本产业相关的则是福建晋华、合肥长鑫的部分，其中福建晋华则是携手联电来抢攻利基型DRAM市场，2018年9月启动20或30奈米级DRAM量产，月产能可望来到6万片12吋晶圆的生产规模。

再者则是合肥睿力与兆易创新阵营，将投入180亿元人民币来研发19奈米DRAM技术，其中兆易创新出资20%，目标2018年12月底研发成果达到产品良率不低于10%的目标，尔后则是于2018年7月合肥长鑫则是宣布开始投产 8Gb LPDDR4 DRAM 记忆体，后续公司规划2019年第三季推出8Gb LPDDR4 DRAM产品，至2019年年底，产能将达到每月2万片的规模，且从2020年开始将开始规划2厂的兴建，并于2021年则完成17奈米制程的研发。

综合上述，中国记忆体产业正在力求从无到有的突破口，但由于中国在DRAM初期产能仍有限，且良率、客户扩展情势仍有待观察，因此预计对于2019年全球DRAM市场的影响程度仍极为有限，不过国际大厂仍密切监控是否有专利侵权现象，不排除专利纠纷或国际诉讼陆续引爆，同时祭出扩大产能、提高主力产品技术水准(如2019年Samsung将在平泽工厂启动10奈米级LPDDR 5量产、SK Hynix预计2019年初完成LPDDR 5技术研发)等策略，来因应中国厂商开始进入DRAM市场的局面。