英特爾大連量產96層3D NAND，長江存儲32層3D NAND怎麼辦？
遼寧日報消息報道：9月21日英特爾大連非易失性存儲二期項目舉行了投產啟動儀式，將採用96層3D NAND存儲晶元製造技術實現量產。
2006年7月，英特爾亞洲控股有限公司與大連市政府簽署了總發展協議，在大連出口加工區B區建設了佔地面積60公頃的英特爾半導體(大連)有限公司，用於邏輯晶元的研發生產。
2015年10月，英特爾二期項目落戶大連，生產非易失性存儲器晶元。經過不到三年時間，二期項目順利實現了建成投產，創造了英特爾工廠建設歷史的新紀錄。
啟動儀式上，英特爾宣布新投產的非易失性存儲二期項目將採用世界最先進的96層3D NAND存儲晶元製造技術實現量產。
阿明觀察分析：
據業內人士分析，英特爾大連工廠二期開始量產96層3D NAND存儲晶元已經早有定居，據說之前紫光旗下的長江存儲已經包了這部分英特爾大連工廠的產能，不知道這個消息是否屬實？但是從紫光旗下長江存儲目前對外的新聞消息來看，沒有看到類似的內容，32層3D NAND在各種渠道出現的消息證明將在2019年量產。
但是，在看到英特爾大連工廠96層3D NAND存儲晶元的量產開工情況下，不知掉長江存儲的32層3D NAND存儲晶元如何在未來的市場中形成自己的吸引力？
——阿明／分析評論——
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