记忆体产业近来杂音频传，外资与研调机构近期纷纷释出对记忆体后市展望渐趋保守的预期，认为价格高点已过，第 4 季包括 DRAM 与 NAND 价格可能面临反转趋势，不过，三星电子看后市相对乐观，该公司高层近日对外信心喊话，强调 DRAM 需求仍持稳，至少到年底前都不会有大变化。

三星高层认为，至少到今年底前，DRAM 需求都将持稳、不会有大变化，并认为明年记忆体产业还是会有一定的需求存在，显示三星对第 4 季的 DRAM 展望，相对其他外资及研调机构乐观。

美系外资近期出具报告指出，旗下南韩半导体研究团队访谈记忆体买卖双方后发现，DRAM 厂在旺季来临前提高库存，积极想办法稳定价格，但采购方需求从 8 月起开始放缓，DRAM 厂因此面临相当大的价格压力。

外资并表示，近几周记忆体价格下滑速度较预期快，整体 DRAM 面临需求下滑、库存积累与价格下修压力，第 3 季价格可能持平表现，产业反转将来得较预期快，利空消息使近期包括美光、南亚科 (2408-TW)、华邦电 (2344-TW) 等记忆体厂，都纷纷遭外资调降评等与目标价。

南亚科总经理李培瑛在今年第 2 季时就曾表示，第 4 季产品价格可望维持稳定，售价涨跌波动也将相对缩小，意味著价格不会有太大的涨幅空间存在。而在研调机构集邦科技旗下记忆体储存研究 (DRAMeXchange) 公布的市场价格预估值中也透露，第 4 季 DRAM 价格一如南亚科先前预期，难再有明显涨幅，将终结连 9 季上涨态势。

针对第 4 季 DRAM 价格走势，DRAMeXchange 指出，由于 DRAM 市场正逐渐由供货吃紧转向供过于求，在需求前景不明且供给持续增加下，买方回补库存意愿偏低，如价格转折向下的趋势确立，后续能以较低价格取得货源，就不需急于现在提升库存水位。

值得一提的是，DRAMeXchange 原先就预估，PC DRAM 第 4 季价格跌价幅度将达到 2%，但受到英特尔传出新平台供货不足影响，冲击笔电市场需求，PC DRAM 消耗量进一步减少的前提下，价格跌幅恐更大。