讀一篇HV Regulator的專利
更多筆記內容搜索微信公眾號：MiaoW_IC。
這篇專利來自於Silicon Storage Technology, High Voltage Shunt Regulator for Flash Memory, 2006年。
主要內容：HV REG的實現方式。
high-voltage shunt regulator：
212~218二極體形式進行連接，消除體效應。
219~222是selectively diode
connected。
電容分壓網路240~244的作用：form a tracking capacitor divider to speed up the response time of
the divider.電容分壓比根據電阻分壓比選擇。
電容管可以通過串聯多個對高壓進行緩衝。
SHORTP1=1，SHORTP2=0，SHORTP3=0，1/10分壓。
SHORTP1=0，SHORTP2=1，SHORTP3=0，1/9分壓。
SHORTP1=0，SHORTP2=0，SHORTP3=1，1/8分壓。
注意SHUNT結構的方式：
280: HV buffered capacitor for loop
stability and to control the ramp rate of the high voltage supply signal VSUPHV。一是提供環路的補償，二是控制高壓的爬升速度，減小過沖。
278是低壓管；
271是NX高壓管，用來buffer
the high voltage for 278
270+273: PMOS管270和NH NMOS管273，用來bias one
terminal of the capacitor280 at an intermediate voltage so the capacitor 280
can avoid breakdown. 這裡280也可以是兩個或多個電容的串聯，緩解電容兩端的壓差。273的作用，還可以作為一個電阻看待，和電容一起構成串聯RC補償。
272+276： NH NMOS管276和NX NMOS管272，NH NMOS管275和反相器279用來短路270和273，應用在VSUPHV為低壓時，提高環路的穩定性，這裡的低壓指的是4V~6V。
《The End...》
推薦閱讀：
