早在1938年，德國物理學家Walter Schottky開發了金屬-半導體接觸的模型。與半導體-半導體接觸相反，肖特基二極體因為材料組成的挑選方法在半導體的界面上形成了一個耗盡區而因此具有勢壘。這避免了低於特定功率閾值的電功率在金屬和半導體之間流通。肖特基二極體因此比其他金屬-半導體二極體(例如：表現出歐姆電阻行為的歐姆接觸)為轉移供應了更大的勢壘。

因為這種特性，肖特基二極體首要用於以下兩個範疇：

1、整流：即在開關電源(開關形式電源，SMPS)或電源整流器內部的溝通至直流通化，以及直流電壓轉化;

2、阻止直流電流和相反極性的直流的反向活動，例如當電池刺進不正確時。

因為其較高的開關速度，肖特基二極體首要用於高達微波規模的高頻應用。這也是因為它們的低豐滿才幹。因此，它們通常在開關電源中以續流二極體或整流器二極體的方式用作下降感應電壓的保護二極體，還可用作檢測電路的解調器。

MBR肖特基二極體曩昔在所有應用中主導了市場，因為它們更容易生產且更便宜。遠東製造商特別可以以極低的價格供應這些器件。可是，質量要求、耐久性、抵擋惡劣環境以及個性化調整正在起著越來越重要的效果;因此，挑選價格更高的產品通常在久遠看來更具酬謝性。此外，DST二極體的使用也變得更加頻繁，因為雖然其製造過程凌亂，但比起MBR版本來也並不是貴得多，而且因為它們更高的系統功率可保證更快的出資酬謝。經過使用改善的技能也逐步處理了極高頻率應用的問題;由此看來，DST正在克服越來越多的應用範疇

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