英特爾的處理器為什麼不用7納米的工藝？
既然手機晶元都大規模的使用7納米的工藝，為什麼英特爾公司卻不用7納米的工藝呢？是技術原因嗎？
以前我也是吹Intel，但是時至今日，必須承認，Intel的工藝已經被三星台積電追平，甚至是超越。
三星台積電製程有水分不假，Intel強調自家的10nm相當於台積電二代7nm，現在的情況是什麼？台積電已經在2018年量產了第一代7nm，今年第二代已經板上釘釘，而Intel的10nm有大規模出過貨嗎，還在初期的測試版階段，年初有個新聞很有意思，Intel去年準備重拾顯卡業務，設計差不多了，結果發現自家的10nm根本用不了，納尼，英特爾給外面的解釋是自家10nm產能有限，敢問，現在Intel產品線中有哪一款是10nm工藝的？？？？沒辦法，只能找三星代工，沒錯，號稱地球工藝最先進的半導體企業讓三星代工。
最新的消息，Intel在經歷過一系列折騰之後，承諾2021年量產7nm，距離2021年不到兩年，10nm還在調試中，出了名的跳票王，2021年能量產算我輸。
在我看來，三星台積電之所以能在製程工藝中取勝，很大原因是和近幾年的產業聯盟結合緊密，這幾年最火熱的產業一個是手機，第二是顯卡，這兩項全都讓三星台積電佔了，高通蘋果華為的cpu，全都是這兩家代工，而顯卡，也都是這兩家包辦，眾所周知，工藝，是產量喂出來的，其次，產量越大，成本的邊際效應遞減更明顯，這樣造成的結果就是，三星台積電造出的cpu工藝越來越好，成本越來越低，這是一個正反饋。 英特爾呢，電腦cpu消費量就那麼大，升級意願逐步降低，可以說很低了，升級產量售價又會跳水，沒產量又沒動力推動製程，即使Intel花血本推動新製程，發現cpu不好賣，那攤到每顆cpu的成本得多高，這是一個負反饋。
一個正反饋，一個負反饋，這是10多年前三家主動做出的選擇，在只有顯卡的時代，Intel和AMD是競爭者，自然不可能為其代工cpu，甚至可以說，Intel和其他半導體廠商都是競爭者，自家的cpu產量夠大，製程夠先進，憑什麼要做代工，Intel和英偉達也是不對付，一個cpu第一，一個gpu第一，誰也不服誰，開放代工？不可能。蘋果找Intel代工都被拒絕了，這曾是一個巨大的機會，Intel覺得沒啥利潤，一個做mp3的做手機，能有多大銷量。智能手機和獨立顯卡的崛起，Intel拒絕擁抱行業變化，才會導致形成這個負反饋。在酷睿初期，硬體性能的跳躍提升導致消費者換機意願高，掩蓋了這個問題的嚴重性，等到Intel反應過來，三星台積電已經成為極為強大的挑戰者，wintel聯盟逐漸式微。
來看看三星的騷操作，三星自家有cpu業務，但是不影響他幫蘋果高通代工，這競爭關係還不明顯嗎？為了錢，沒啥矛盾是和解不了的，官司該打打，錢該賺賺。flash快閃記憶體這塊Intel也曾經虧成狗，一度邊緣化，只有韓系笑到最後，Intel囤積著龐大先進的產能，只是為了cpu價格賣高點，不為別的，flash不賺錢，搞它幹什麼，毫無遠見，前幾年三星的flash業務真的是笑開花，晶圓廠跟印鈔機一樣了，隨意提價。
Intel不是沒察覺到這個，英特爾在2017年宣布開放代工，號稱14nm比對手10nm更先進，結果怎麼樣大家都知道，自家提供給蘋果的基帶晶元都是台積電28nm代工，說明Intel和整個移動端產業都徹底脫節了。Intel可能參數上好於三星台積電，量化也就20%，但是，可能代工成本就高個50%，而三星台積電是專業的代工公司，整個代工流程都十分順暢，Intel就呵呵了。
從柵格間距來看，Intel的22nm是干不過台積電三星的16/14nm的，14nm打對手倒是沒問題，但是14nm打對手的10nm，參數上已經沒有優勢了，而三星台積電升級到7nm之後，Intel還在用14nm對抗，再有水分的7nm也不至於不如古董14nm吧，當然，Intel用的是自家10nm對標對手7nm，但是自家的10nm難產兩年多了，對手的7nm（蘋果a12）已經量產1年了。結果已經很清晰了，即使是英特爾開放代工，也毫無吸引力，更高的價格更差的製程，誰會用。不知道大家注意到了沒，Intel的九代處理器和amd的二代銳龍相比，amd居然有了功耗優勢！！！！！3.9ghz以下兩者功耗持平，但超過4.0，Intel整機要高出30w+，因為二代用的是台積電？三星？的12nm，我猜是台積電的，因為三星只有14 10兩個節點，台積電16 12兩個節點，amd在以後的對抗中，不需要太多力氣升級架構，只需要坐穩台積電三星的製程順風車，就能抗衡Intel。Intel現在慌得不行，移動端完全沒有存在感，代工沒有優勢，技術已經逐漸被對手追上並超越，好不容易忽悠蘋果買了自家的基帶，幾乎釀成慘案的雙輸，最近宣布退出5g競爭，蘋果高通舊情復燃，自己的基本盤行業正在被amd威脅，gpu的大計算應用正在蠶食整個行業的基礎，與此同時，自家內亂不斷。
Intel的現狀，其實在10多年前就已經註定了，winIntel聯盟深入人心，形成一個極為封閉的生態，微軟是軟體行業，掉頭快，迅速擁抱雲服務和大計算，市值新高，Intel作為硬體底層供應商，沒能即使的察覺行業變化，所以，當Intel十幾年前做出不代工，賣掉arm業務決定時，這種操作再正常不過了。但是一而再再而三的對抗整個產業，就是作死了，Intel想過貼錢賣x86 cpu給華強北平板廠商，結果生產了一堆電子垃圾，自己還倒貼幾十億美元，Intel也把x86 cpu賣給昔日盟友聯想，做出了k900這種兼容性極差的手機。這麼多年以來，Intel還是用著wintel的老思維閉門造車，結果你們都懂。
最後，來看看兩家的製程工藝
以上沒有7nm的數據，不過Intel自己的ppt說三星台積電的7nm密度比自家的10nm略高，差不多算是勉強承認自家10nm不如對手7nm。在晶體管密度這方面已經被無情的超越了，估計也就漏電率還有點優勢。
此7納米非彼7納米.
背景：
因為歷史原因，在業界里，INTEL屬於「chipmaker」（IDM晶元商且產線不對外開放），不屬於「Foundry」(代工廠,商用開放）。
也就是10nm下非存儲器產品線目前大致分倆陣營：非商用：Intel VS 商用線：台積電，三星（IDM，但是產線對外開放）），SMIC（研發中），GF （已退出）,UMC(已退出）
商用和非商用兩邊的技術路線的命名和標準嚴格說是有較大差異的。為了好做生意，商業「Foundry」線標準自然需要統一，但他們的業界標準，不能直接套用到非Foudry頭上去。
然後是結論： 如果一定要比較，那就從技術上看（器件/線寬特徵尺寸，SPEC, Pitch等），可以大致認為intel的10nm=TSMC的7nm, intel 7nm= TSMC/SAMSUNG 5nm （台積電和三星是一樣的）。intel的工藝不商用，不開放，所以不能直接套用商用節點分類。
要求標準統一的呼聲已經很多年了，不過沒辦法，「INTEL屬於世外玩家」，我行我素慣了。
以下是小擴展：
- 首先， 目前TSMC量產的所謂7nm其實是193nm 光刻機+金屬多重曝光技術對14nm/10nm節點的極限延伸，並非真正的使用了EUV的7nm/5nm節點。
EUV光刻機的隨機缺陷問題至今沒完美解決，良率是沒達到量產標準的。TSMC的7nm 成本比EUV 7nm +金屬單次曝光 高昂許多，所以並不是一個可在商業上全面普及的技術。(三星的過渡節點是8nm)
（a1 :這裡的「難以全面普及」並不是一個貶義，也不是說7nm的產能很低。 DUV 7nm全身上下從良率和可靠性看都相當好，唯一的缺點就是貴，分析師甚至認為可能比使用了EUV的真7nm (TSMC 命名為7nm+)還貴。具體是報價是多少呢，我引用Gartner的數據：7nm SOC 的設計（含製造）費用是1.2億美金~4.2億美金（晶元設計從來不是一鎚子買賣，必須多次流片，多次迭代，最後才量產，也就是說經驗最豐富的公司也會付出1.2億美金的設計費用，經驗不怎麼豐富的那就不好說了。。很多年前我們業內有個梗，有些金融危機都沒整死的半導體公司最後倒在了28nm的流片路上就是這個原因）；10nm/14nm價格差不多是7nm的一半 （礦機和互聯網公司的AI SOC基本都在這個點上）， 而目前大部分商用SOC採用的，也就是普及度截至去年Q4還是最高的28nm節點，其產品整體設計費用為1000萬美金~3500萬美金。） 無論是DUV還是EUV的7nm，很多投行，半導體基金經濟分析師將其定義為crossover point，說難以「全面普及」可能也是出於這個經濟考量。
（a2:單次和多重曝光，簡單說：同樣是做一層金屬，單次曝光只需要一層版一次曝光；而雙重則是需要把工序分兩步，兩層版，兩次曝光，最後圖形合併；三重，四重則以此類推。。。每一次工序的增加會增加製造的難度，同時增加工藝整合缺陷率的風險。。也就是讓成本大幅增加。）
2. 目前三大廠7nm EUV 的情況是這樣的：
TSMC, 三星：還處於產能爬坡階段，並沒開始量產，因為良率是沒達到量產的標準的。TSMC和三星都號稱今年Q4末會量產.
intel：研發階段，產能爬坡預計今年下半年。 之前說過的，其7nm等同於，TSMC, 三星的5nm。
以上量產時間都將取決於ASML升級了power source以及transmisson rate等關鍵指標的新一代EUV, NXE:3400C 今年Q4是否會按時交付了。
3. 7nm EUV是個比較尷尬的節點，隨機缺陷的問題目前看除了跟EUV的power source，mask有直接聯繫外，跟金屬單次曝光也有較大的關聯，工藝專家認為多重曝光是可以解決隨機缺陷的，但如果升級到多重曝光又有點浪費，成本比使用193nm光刻機+ 多重曝光還高， 經濟性很差。目前很多工藝專家更加看好的是5nm，因為在這個節點下，pitch可以比7nm減少20%~30%，也就是集成度理論可以增加20%~30%, 可以有較充分的理由去說服客戶去提高自己的預算以獲得更佳的PPAC. (Power, Performance, Area, Cost）
總之，經濟性上來講，單次曝光肯定比雙重，多重曝光便宜很多就是（工序少，收費少，很合理）。集成電路製造里，同一個節點下，後道金屬製造工藝是成本控制的核心，9層金屬能做出來的產品絕不會使用10層，2層Mx能做出來的，絕對不選3層Mx。（Mx是指底層金屬，比如第一層金屬m1, 第二層金屬m2,第三層金屬m3。。。雙重，多重曝光工序也是針對的Mx及其過孔。）
4. 最後說下Intel，就22nm以下的核心專利來看，intel 截止目前依然是無可爭議的技術巨人 ,但其產線封閉性已經成為其發展最大的掣肘，TSMC的成功在於其開放度及執行力，尤其是對Tier 1客戶的開放，先進節點研發甚至能做到請客戶派工程師去幫助改善器件model，以加速良率的提升；對於所有客戶的反饋重視度很高，更新疊代迅速，台積電的PDK design manual 是我這十來年從業經歷中接觸過的商用工藝里最完整細緻的一家，沒有之一。（ 三星這兩年也開了竅，開放度大增。5nm 的新結構MOS研究(GAA MOSFET）三星已經走在了前面。）
寫得匆忙，難免有誤，見諒。
大約是台積電16nm，英特爾14nm的時候，我就撰文說英特爾再不開放代工就來不及了。
本來英特爾工藝領先一代到兩代，但是2007年以後，手機處理器幾乎是一年一代進步太快了。
英特爾一開始準備去競爭，花了很多錢補貼雙系統平板，但是這個政策沒堅持下去。
移動市場基本放棄了。
放棄了這個時候，英特爾就遇到問題，你的處理器升級慢，工藝升級經濟上不合算。pc銷量已經很穩定了。伺服器利潤高，量不能和智能手機比。
你的工藝不去競爭，不跟上移動領域升級的速度，很快會被趕上。
當時有個消息是蘋果希望用英特爾的14nm工藝，而且英特爾當時已經給蘋果供基帶。傳言好像有點眉目。
但是，英特爾沒有搞。
到了7nm，即使你的14nm再強也不可能強出兩代。
而且台積電後續都計划到3nm了。
這兩年，AMD會有一個好機會。
修正一下回答
高通驍龍8系某開發者對intel設計的看法: intel現在行業定位是2流中至二流末, 總之未來不看好。(原話)評價無關製程，跟設計有關。是因為好幾年微架構擠牙膏，被apple的A系的IPC追上了，而得到這樣低的評價了嗎？
intel 22nm到14nm密度提升150%，14nm到10nm 密度提升170%，10nm到7nm 密度提升100%，2.5倍、2.7倍、2倍，intel的密度標準降低了，說難聽點，是縮水了(之前國外友人的預估是2.5倍)。
太多人喜歡就拿Intel某幾個PPT吹Intel，我還是喜歡數據說話。
就密度而言，括弧是以Intel為基準的密度(只是個大概)，
22(i)＜20(T)＜16(T 19)＜14(S 17)＜14++(i 15.5)＜14(i)＜10(S 12)≤10(T 12)＜7(S/T，10.2)＜10(i)＜7+(T 9.6)＜5(S 9.2)＜5(T 7.4)≤3(S 7.3)＜7(i)可能估測不是很准，但應該比較接近，大小關係應該問題不大，主要來自Intel PPT 台積電 三星的數據和部分晶元的實測數據而得出上面的結果量產時間
台積電7nm 18年4月——＞19年4月/5月台積電7+和三星7LPP量產——＞Intel 10+ 19年下半年量產(實際上，17年底Intel小批量量產過初代10nm的8121U)——＞2020Q1量產台積電5nm——＞2020Q1或Q2三星5nm——＞2021 Intel 7nm 三星3nm 台積電5+Intel 最近的PPT是2021年量產7nm，這是會用上IIIV族的工藝(Intel PPT上是這樣寫的)，相當於finfet下代技術，而finfet下代可選的技術還有GAA以及其他方案，三星3nm(3GAE)打算用GAA。
下面的數據是從事半導體相關工作的人Scotten Jones整理的數據，Intel 10nm的數據是100.8MTx/mm2，稍高於台積電 三星初代7nm的95.3和96.5，低於台積電的二代7nm即7FFP(7nm+) 113.9。而最近Intel公布自家7nm的數據是提升2倍密度，即201.6MTx/mm2 。三星下面3nm的官方數據是相比7nm面積減少45%，即密度增加81.8%，即3nm密度為173.3。MTx/mm2，百萬晶體管/mm2。可以看出，2021年Intel量產的7nm比三星的3nm和台積電5nm密度領先16%，這個幅度不算大。
台積電最近宣布2020年Q1量產5nm(依然是finfet技術)，2021年5nm+(提升很少，PPT表示速度提升7%，功耗和密度也沒提起，沒提升？)，三星宣布2021年量產3nm(3GAE)。速度方面，Intel 14++比三星和台積電7nm都要明顯強(參考zen2和xxlake系列的頻率差距)，比10+強，稍弱於10++(Intel的PPT)。10+目前來看，速度實際可能更弱，依據Intel 10+ icelake的頻率來看的話。
14++為了可以跑更高頻率，明顯降低了密度，相比初代14nm而言。
順便糾正一個問題，就是太多小白YY Intel 14nm和別家10nm差不多，實際上，Intel初代14nm密度37.5MTx/mm2(14++估計低10%-20%) ，台積電三星10nm在Intel PPT上是48和50，即14nm密度落後30%以上，這叫差不多？當然14++確實是速度吊打這兩家的7nm，更別說10nm了。實際上，台積電10nm的海思kirin970密度接近57，倒是A11在48左右。Intel PPT難道不用別家最好的密度數據對比的？一般而言，同代製程，如Intel 14nm，高頻率版工藝(桌面級)一般密度會明顯低於低頻率版(移動級)。
台積電5FF比三星3GAE和Intel 7nm早一年以上量產，性能會明顯落後它們。
三星雖然製程名稱虛標嚴重，但是，近幾年量產時間基本符合官方預定的時間，沒有跳票，台積電也一樣。Intel就是10nm跳票了，但不能因為Intel跳票也推斷另外兩家也跳票。
所以，對於台積電明年Q1量產5nm，後年量產5nm+，三星2021量產3GAE，都挺可靠。
另外，三星很早之前的目標就是今年量產7nm，早前也確實宣布量產7LPP了。大家不要把別家試產的說法當作量產，而誤會它們兩家的量產時間。之前不少國內外媒體上一年把三星7LPP試產當成量產，實際上今年Q2三星官方才宣布量產7LPP(三星的晶圓代工製程官方量產說法是mass production，14lpp 10lpe 10lpp 8lpp以及7lpp都是這個字眼，其他說法基本都不算)。
如果Intel2021如期量產7nm，即可以看出Intel依然稍微領先另外兩家。最近台積電打算2022年量產3nm，如果沒有推遲，那麼，基本可以認為台積電算是真正反超intel了，因為，我是不看好intel的5nm能夠在2023可以準備好，而2024或者2025，台積電的2nm也要來了(台積電官方已經宣布開始研發2nm)。
對了，想起2年前，不少人認為台積電的製程不適合桌面CPU的說法，甚至有人認為7nm密度太高，散熱能力會變差，高頻能力可能比不上自家10nm，結果zen2算是徹底打臉。連性能比16+還差的14lpp的zen都能上桌面CPU，性能更好的16+為什麼不行？台漏電 台漏電的叫得歡，只能說這些人活在過去。
對了，Intel的PPT上，14nm密度是37.5，三星14nm 30.5，台積電16nm 29。
實際則是，14nm skylake的密度在14左右(只有理論值的40%不到)，GF 14nm(即三星14nm)zen的25左右(理論值的82%)。Intel大幅犧牲密度才實現高頻率。所以，吹Intel密度的實際上也可以省省了。另外，以上一年amd展示的台積電7HPC gcn的數據，密度不到40，遠低於kirin 980的93，要實現高頻，都要大幅犧牲密度。兩個很重要的密度參數CPP MMP，14++從初代14nm的CCP的70nm增大倒84nm，所以密度也是明顯降低。所以上一年也就有了人推測Intel量產的桌面10nm也要為了提頻而降低密度參數。另外，台積電和Intel市值目前都在1900+億美元，台積電稍高一點。台積電營收只有Intel一半，凈利潤有Intel的70-80%。台積電不缺錢和技術升級製程，更重要的是apple這樣的大客戶太積極更新製程，海思 高通也積極跟進。現在最新的消息是，連很多人眼中摳門的華為，都讓中端soc的麒麟810用上昂貴的7nm，難怪海思成為台積電第二大客戶了。實際上，只依靠gpu，台積電 製程推進速度要比跳票的Intel 10nm還要慢也不奇怪。Intel 雖然說2021要上7nm，但是，如果不能搶到apple 高通這些大訂單，依靠原來的市場，真的未必會那麼積極量產，畢竟10nm的研發成本還遠遠沒有收回。最終的結果，很可能是，Intel不能拿到其他大廠代工訂單的話，製程技術遲早是要被反超。
站在同一起跑線上的歐美技術企業，一般最後也是打不過東亞的企業。
從英特爾的角度來看，台積電和三星的7nm並不是真正的7nm。
晶元這個東西是需要技術的，在技術的世界裡，彎道超車本身就不多見，而且就算彎道超了對手也可能在直道上追回來。2014年，英特爾就發布了14nm工藝的晶元，彼時的台積電剛剛小規模量產了20nm工藝。那麼，是什麼力量讓台積電追上並超過英特爾的呢？
答案就是數字遊戲。
根據公開的資料，Intel 14nm工藝的柵極間距為70nm，內部互聯最小間距為52nm，這兩項指標分別比22nm縮小了22％、35％。
相比之下，台積電16nm、三星/GF 14nm的柵極間距分別是90nm、78nm，內部互聯則是64nm。
我想大家都能看出來問題了，台積電的16nm工藝在技術指標上也就比英特爾的22nm好了一點，三星也沒好到哪去。也就是說，英特爾在2016年的時候依然處於領先地位。
然而，英特爾在2014-2016年間的發展並不好，他們的移動晶元慘遭失敗，代價是付出了70億美元的補貼。與此同時PC銷量下滑，英特爾被迫關閉了一些晶元工廠，包括曾經被奧巴馬看作是美國製造業典型的Fab42工廠。這直接導致英特爾的生產和實驗出現混亂，一旦市場回暖，幾乎所有工廠都要滿負荷運轉。
與此同時，英特爾內部也是亂成了一鍋粥。科再奇上任後，英特爾一直在併購。併購後的整合需要大量人員和精力，這並不是英特爾擅長的，雄心勃勃的10nm工藝量產計劃也因為公司沒有與相關團隊明確界定目標，導致該計劃最終變得過於複雜，且沒有以理想的方式加以管理。
當然，10nm本身也有設計難度，英特爾的要求太高了，這幾乎是他們現有光刻機，也就是DUV的極限。多說一句，現在的EUV光刻機光源功率過低，達不到英特爾的要求。
對市場預估錯誤，轉型期陣痛和過於自信的標準讓英特爾的10nm工藝頻繁跳票。
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