長江存儲將發布新一代NAND快閃記憶體 技術先進程度大超業界預料

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國產存儲器廠商長江存儲今天向業界發布了一項突破性的技術架構——XtackingTM，3D NAND快閃記憶體晶元基於該技術之上將獲得空前高的I/O性能，更高的存儲密度，更短的產品上市周期。據長江存儲稱，若是採用XtackingTM技術，那麼就可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。而這樣的加工方式更利於選擇合適且先進的邏輯工藝，從而使得NAND快閃記憶體獲取更高的I/O介面速度和更多的操作功能。存儲單元也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工後，創新的XtackingTM技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA（Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道）將二者鍵合接通電路，帶來的成本增加則相對有限。

XtackingTM技術充分利用了存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了並行、模塊化的產品設計及製造。於是，產品開發的時間可縮短三個月，生產周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND快閃記憶體的定製化提供了可能。目前，長江存儲在研發第二代3D NAND快閃記憶體晶元上便成功地應用了XtackingTM技術。並且，該產品初步估計是在2019年進入到量產階段。長江存儲預期，XtackingTM技術未來將可用智能手機、個人PC、數據中心和企業應用等領域，還將開啟高性能、定製化NAND快閃記憶體解決方案的時代。

長江存儲CEO楊士寧博士說：「目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps，而大多數NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技術我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。這對NAND行業來講將是顛覆性的。」

業內知名市場研究公司Forward Insights創始人兼首席分析師Gregory Wong則表示：「隨著3D NAND持續更新換代，在單顆NAND晶元存儲容量大幅提升後，要維持或提升相同容量SSD的性能將會越來越困難。若要推動SSD的性能繼續提升，更快的NAND I/O速度及多plane並行操作功能將是必須的。」

另據「電子工程專輯」今天報道，長江存儲CEO楊士寧將在本周於加州舉行的快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit）上、向業界介紹該款3D NAND快閃記憶體架構技術。並且，這也象徵著中國本土廠商第一次能與全球業界公開討論關於生產先進存儲器的計劃。

「電子工程專輯」進一步分析，如果長江存儲的目標保持不變，那麼該廠商跟國際上大型競爭對手之間的差距將只差一、兩步。英特爾、美光、三星、東芝/西部數據等廠商均已向市場發布或正出貨96層、每單元4位的組件。三星還稱自家的晶元可達到類似DDR4的速度——約1.4Gbits/s。而值得補充的是，三星曾率先在快閃記憶體高峰會上發布商用3D NAND晶元，然而，今年三星並未參與此次活動。三星的缺席，讓長江存儲在所有主要的快閃記憶體供應商均參與的展會上，很自然地成為了一大熱門話題。