如何測試射頻變壓器的性能 ?
射頻變壓器能夠實現阻抗、電壓、電流的變換,且具有隔直(流)、共模抑制及單端轉差分功能,因此廣泛應用於射頻電路諸如推挽放大器、雙平衡混頻器及A/D ICs中。對於這類阻抗變換器件,其單端阻抗往往不是50 Ohm,這給其性能測試造成了困難。鑒於傳統測試方法的局限性,本文介紹了一種基於矢網的新穎測試方法,使用虛擬差分模式及Offset功能,能夠有效地測試射頻變壓器的性能指標。
射頻變壓器一般由兩個或多個彼此絕緣的銅導線繞至在磁芯上而成,通過電磁耦合實現功率由初級(Primary)到次級(Secondary)的傳輸。圖1給出了射頻變壓器的等效電路,假設初級線圈繞線匝數為 ,電壓和電流分別為 和 ;次級線圈繞線匝數為 ,電壓和電流分別為 和 ,則滿足如下關係:
其中 為線圈匝數比, 。
阻抗變換比為: 。
如何測試射頻變壓器的性能呢?射頻變壓器有哪些測試參數呢?
大多數射頻變壓器可以實現不平衡到平衡的轉換,對於這樣的變壓器,可以將其當作一個balun,測試參數包括:插損、回損、CMMR、幅度和相位不平衡特性等。
對於單端阻抗為50 Ohm、差分阻抗為100 Ohm的變壓器,可以直接在矢網的虛擬差分測試模式下測試,因為矢網本身為50 Ohm系統阻抗,而且業界的中高端矢網基本都具有虛擬差分測試功能。但是對於單端阻抗不是50 Ohm的變壓器,如何有效測試其性能呢?
如果射頻變壓器的單端阻抗不是50Ohm,需要考慮待測件與矢網之間的埠匹配。傳統的測試方法是,直接使用兩個相同的射頻變壓器back-to-back布置,從而實現阻抗的匹配,測得的插損取一半即為單個變壓器的插損。該方法能夠測試變壓器的插損和回損,但是無法有效測試CMMR和幅度、相位不平衡特性。
或者使用如圖2所示的阻抗變換器,使用兩個電阻搭建Mini-Loss Matching PAD。如果平衡端差分阻抗為200 Ohm,則對應的單端阻抗為100 Ohm。R1和R2的取值要同時保證,從DUT輸出向矢網看去的輸入阻抗為100 Ohm,及從矢網向DUT看去的輸入阻抗為50 Ohm。 圖3給出了相應的測試裝置示意圖,採用UOSM校準方式。Port1與Port2、Port4之間的直通校準,也需要連接一個阻抗變換網路,以實現埠之間的匹配。
校準完成後,測試了某一款射頻變壓器的插損、回損等參數,測試結果如圖4所示。低頻時,測試結果與規格指標比較一致,但是隨著頻率的提高,偏離規格指標越來越大。經實驗發現,阻抗變換器所使用的電阻的頻率特性較差,電阻值隨頻率的增加變化較大,這限制了該方法在高頻時的應用。
目前大部分矢網都支持更改埠參考阻抗,在一定條件下,這允許測試非50 Ohm系統阻抗下的S參數。其大致原理:首先測試50 Ohm系統阻抗下的S參數,然後根據所設置的埠參考阻抗,對測試數據作相應的數學變換,從而得到其它系統阻抗對應的S參數。如此,就不需要外部的阻抗變換器,使得測試更加靈活。
對於射頻變壓器,輸出為差分形式,設計測試評估板時,PCB走線的阻抗及線間距均應按照一定的規則布置,以減少對測試結果的影響。但實際中,這一點往往很難滿足。為此,校準完成後,需要執行Offset功能,將校準參考面延伸至待測件pin處。這一點很重要,尤其對於差分端,因為評估板走線一般是按照50 Ohm進行阻抗控制的,而射頻變壓器差分輸出端的單端阻抗往往不是50 Ohm,如果不作Offset,則測試結果將偏差很大。
下面通過一個射頻變壓器測試實例,詳述其測試過程。待測射頻變壓器的指標為:單端阻抗為50 Ohm,阻抗變換比為1:1,頻率範圍0.4MHz~500MHz,帶內插損不超過3dB。
測試步驟:① 首先設定頻率範圍,並作系統誤差校準,此時按照默認的埠參考阻抗50 Ohm 即可;② 然後執行Offset功能,尤其是對差分埠;如果待測件輸入側單端阻抗不是50 Ohm ,建議對單端埠也作埠延伸;③ 最後進入虛擬差分測試模式,並將差模、共模阻抗按照DUT實際阻抗值輸入。
圖7和圖8分別給出了待測件的插損、回損及幅度和相位不平衡特性測試結果,其中插損在全頻段滿足規格指標,幅度和相位不平衡特性也相對較好。對於次級含有中心抽頭的射頻變壓器,一般建議將中心抽頭接地,這樣可以改善幅度和相位不平衡特性。
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