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功率半导体器件(Power Semiconductor Device)又称电力电子器件(Power Electronic Device),主要用于电力设备的电能变换和电路控制,是进行电 能(功率)处理的核心器件,弱电控制与强电运行间的桥梁。 典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理,除保证 设备正常运行以外,功率器件还起到有效的节能作用。
(资料来源:科技新报)

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基本上,功率半导体大致可分为功率离散元件(Power Discrete)与功率积体电路(Power IC)二大类,其中,功率离散元件产品包括金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)、二极体(Diodes)、绝缘栅双极电晶体(IGBT)。
(资料来源:网路)

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MOSFET 系属于功率半导体元件的一种,为电子资讯产品之电源控制元件,具备大导通电流、低导通电阻值、高切换速度及耐高压电流之特性,主要应用于电脑、行动电话及可携式产品之交换式电源控制系统。
(资料来源:巨亨新闻网)

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IGBT是半导体器件的一种,主要用于电动车辆、铁路机车及动车组的交流电电动机的输出控制。传统的BJT导通电阻小,但是驱动电流大,而MOSFET的导通电阻大,却有著驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点:不仅驱动电流小,导通电阻也很低。
(资料来源:维基百科)

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功率半导体系用以转换电能以及控制电子装置、机器和系统。功率半导体也应用于高速火车和区间车以及小型通勤火车和地铁的马达马达。其他应用包括风力发电和太阳能光电系统、伺服器、笔记型电脑、智慧型手机、平板电脑、娱乐电子产品与行动通讯基础设施的电源供应器,以及照明管理系统。
(资料来源:ctime)

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IC Insights 指出,历经 2015 年短暂下调后,2016 年全球功率半导体市场 重新将回升至 124 亿美元。在各类功率元件中,最具成长性的产品是高压MOSFET(超过 200V)与 IGBT 模组,两类产品在 2015~2020 年期间的复合年 成长率(CAGR)预估分别为 4.7%与 4.0%。
(资料来源:kKnews)

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