东芝在1987年发明了NAND闪存，时至今日我们已经用上了64层3D堆叠闪存制成的手机和电脑硬盘，96层堆叠的产品也已经开始逐步面世。不过我们今天要讨论的是下下代128层堆叠3D闪存产品。

　　尽管128层堆叠目前还停留在技术层面上，通过前不久的ISSCC（IEEE国际固态电路峰会）我们能够找到一些有关未来闪存技术的发展方向。

　　在3D闪存的发展历史上，东芝宣称自己是最早提出3D堆叠闪存技术的公司（2007年），不过最早将3D闪存带入大规模应用的则是三星（2013年，24层堆叠）。目前三星已经披露了第六代V-NAND的计划，预计采用11X层（110~120）堆叠。

　　与之对应的是东芝BiCS5，预计采用128层堆叠，二者都有TLC和QLC两种类型。下图是东芝在ISSCC上公开的BiCS5 3D TLC闪存关键参数，值得注意的是它同样采用4平面设计，写入速度较三星更高。

　　对比双方公开的参数信息可以发现，东芝BiCS5在存储密度和写入速度上拥有显著优势，而三星V-NAND V6则凭借更新的Toggle 4.0闪存接口取得了读取延迟方面的领先。（PCEVA小编注：Toggle是由东芝和三星在2010年共同提出的闪存接口规范，影响闪存芯片与固态硬盘主控之间的通信速度）

　　除了性能之外，成本控制同样是3D闪存技术优越性的一个体现。毕竟3D闪存的问世主要就是为了解决半导体制程微缩瓶颈，助力闪存存储密度不断上升、每GB价格不断下降。

　　通过单Die容量与面积计算的结果来看，东芝BiCS闪存在存储密度上的优势明显。不过这能否能最终转化为制造成本上的领先，还要受到其他诸多因素的共同影响。

　　以下是通过公开渠道收集到的各闪存原厂最新3D闪存技术规格，国产还需继续努力提升自身竞争力，发展技术创造成本优势，先渡过眼前闪存价格不断下降的寒冬。