三星在NVIDIA的GPU技術大會（GTC）上發佈了新的高帶寬HBM2E產品，爲下一代超級計算機、圖形系統和人工智能（AI）等提供更高的DRAM性能水平。

三星曾在2018年1月宣佈開始批量生產第二代8GB高帶寬HBM2產品，每個引腳提供2.4Gbps數據傳輸速度。三星新一代的HBM2E每個引腳提供3.2Gbps數據傳輸速度，比上一代HBM2快33%。Flashbolt的每個芯片密度爲16Gb，是上一代產品的兩倍。

三星通過不斷的創新和改進，單個HBM2E封裝芯片將提供410GBps的數據帶寬和16GB容量。

除了三星，SK海力士曾在2017年8月宣佈量產HBM2產品，分別是2GB、4GB、8GB容量，最高寬帶可高達256GB/s的帶寬，在2018年度報告中也表示，將積極響應客戶對HBM2和GDDR6產品的需求。

HBM（High bandwidth memory）主要是與GDDR展開競爭，在消費類市場，AMD RX Vega、NVIDIA Titan V等極少數產品應用了HBM2，專業市場AMD Radeon Instinct、NVIDIA Tesla的需求更大，但是成本是其普及的最大制約因素。

三星電子存儲產品規劃和應用工程團隊高級副總裁Jinman Han表示：“Flashbolt將爲下一代數據中心、人工智能、機器學習和圖形應用提供業界領先增強性能的解決方案，我們將繼續擴大我們的優質DRAM產品，並不斷在高性能、高容量、低功耗存儲方面創新和進步，以滿足市場需求。”