這幾年，曾經執行業牛耳的Intel在新工藝方面進展遲緩，10nm工藝遲遲無法規模量產，一個很關鍵的原因就是對技術指標要求高，投產難度大。

而在另一方面，臺積電、三星卻是一路高歌猛進，除了技術方面的突破，還採取了更靈活的戰術，降低新工藝技術難度，並且每次稍加改進就拿出一個新版本，讓人目不暇接。

比如臺積電的16nm是個重要節點，12nm則是在其基礎上升級優化而來。三星就更亂了，除了14nm、10nm、7nm、5nm這些升級力度比較大的，還有11nm、8nm、6nm、4nm等一系列過渡版本。

近日，臺積電宣佈5nm EUV工藝已經開始試產，相比7nm可將核心面積縮小45％，性能則可提升15％，同時三星5nm EUV工藝已經設計完畢，較於7納米製程，面積縮小25%、耗電減少20%、性能提升10%， 5納米製程還能使用7納米設計IP，藉此幫助客戶減少5納米製程設計費用。

現在，臺積電又正式宣佈了6nm(N6)工藝，相較臺積電7納米製程，6納米製程邏輯密度增加18%，可以提供客戶更高的效能與成本效益，預計在2020年第1季試產，提供中階行動產品、AI、網通、5G基礎架構、繪圖處理器以及高效能運算等應用。

臺積電7nm工藝有兩個版本，第一代採用傳統DUV光刻技術，第二代則是首次加入EUV極紫外光刻，已進入試產階段，預計下一代蘋果A、華為麒麟都會用。

新的6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術，號稱相比第一代7nm工藝可以將晶體管密度提升18％，同時設計規則完全兼容第一代7nm，便於升級遷移，降低成本。

臺媒報道指出，臺積電早於三星宣佈完成5納米製程研發，預計在第2季進行試產，雖三星急起直追，但根據目前全球晶圓代工市佔率，三星第1季已經提升至19.1%，但與臺積電的48.1%相比，仍被甩在身後，此外，三星在先進製程的質量如何，不僅外界關注，也是三星是否有機會在先進製程競賽當中，扳回一城的重要關鍵。

Intel：14nm我改進了一次又一次，也只是叫14nm+、14m++，臺積電、三星你們太過分了……