相比iFixit的整機拆解，TechInsights是一家更深入拆解芯片並分析其內部結構的公司。最近TechInsights完成了對三星、東芝和美光最新一代9X層堆疊3D閃存的拆解分析。這些閃存已經或即將用在我們日常使用的手機、固態硬盤當中。

　　之所以是9X層而不是具體的96層，是因爲三星不對外公開具體堆疊層數，TechInsights爲我們揭開了答案。TechInsights從三星970Evo Plus 2TB中獲得了其9X層堆疊3D閃存顆粒K9DUGY8J5B-DCK0，通過結構分析發現它的堆疊層數爲92層。

　　單從堆疊層數來看92層少於競爭對手東芝和美光所採用的96層結構，所以三星也很聰明的選擇了隱匿具體數值，而採用9X層的模糊表述。

　　下圖爲東芝96層堆疊BiCS4閃存，顆粒拆解自東芝XG6 NVMe固態硬盤，顆粒編號TH58LJT0T24BADE。

　　下圖爲美光96層堆疊（第三代）3D閃存，顆粒拆解自美光BX500 960GB型號（240GB和480GB使用第二代64層堆疊3D閃存），顆粒編號MT29F512G08EBHBFJ4-R。

　　TechInsights還對國產長江存儲3D閃存（32層堆疊）產生了濃厚興趣，正在蒐集和準備進行相關的拆解分析。

　　另外根據TechInsights公佈的NAND技術路線圖顯示，當前三星、東芝和美光的64層/9X層3D閃存實際使用19nm或20nm工藝製造。除美光之外，其他主流閃存製造商都選擇了Charge Trap閃存結構，而美光也有可能在下一代128層堆疊技術中從Floating Gate轉換成Charge Trap，以期獲得更高的閃存耐久度表現。