2017年全球半導體行業超大規模併購放緩，企業進入深度整合的進程當中。市場方面，受存儲器價格大幅上漲帶動，全球半導體市場增長率進入雙位數區間，但多數企業並未享受到規模擴大的紅利，反而苦苦尋找新的增長點。中國半導體產業受國家利好政策的支持，整體表現優於全球水平，但也出現了投資過熱、優劣項目混雜、研發投入不足、人才缺口明顯等問題，「改革與發展」成為全年度的主題詞。新年伊始之際，《中國電子報》盤點「2017年中國半導體產業十大新聞事件」，總結梳理，展望未來。

1

長江存儲一期項目封頂

存儲器建設全面開啟

2017年9月28日，紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目(一期)一號生產及動力廠房，實現提前封頂。預計將於2018年投入使用，項目(一期)達產後，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

點評：作為通用晶元之一，存儲器幾乎可以入選2017年最熱主題詞。受市場內外多種因素影響，全球存儲器價格全年持續上漲，下游廠商有錢也拿不到貨的現象也頻頻出現。為解決卡脖子問題，中國大力佈局投入存儲器產業，包括國家集成電路產業投資基金和紫光集團共同投資的長江存儲、福建晉華和合肥長鑫。2017年是三家國產存儲企業的建設期，長江存儲研發出了32層64G的完全自主知識產權的三維快閃記憶體，福建晉華與聯電合作，由後者協助開發DRAM存儲晶元技術，合肥長鑫也與兆易創新簽署存儲技術研發的協議。根據三家企業的規劃，2018年將進入量產階段。那麼，2018年有望成為中國存儲元年，也是挑戰之年。

2

中芯國際換帥啟用雙CEO制

加速衝刺28和14納米先進工藝

2017年5月10日,中芯國際發布公告，原CEO邱慈雲因個人原因請辭，由趙海軍出任公司新任CEO。10月16日，中芯國際再次宣佈梁孟松加入中芯國際，與趙海軍共同出任聯合首席執行官。梁孟松在半導體業界有著逾三十三年經歷，從事內存儲存器以及先進邏輯製程技術開發。

點評：全球晶圓製造在先進工藝上的比拼日趨激烈。臺積電、三星均宣佈將在2018年實現7nm工藝的量產。而臺積電南京廠16nm 建設的啟動與加速，預期將於2018年第一季度投片，5月出貨，更將對中國大陸代工廠形成強大競爭壓力。持續聚焦、整合資源，建立新的領導團隊，衝刺28HKMG和14納米先進工藝，成為中國大陸(?與記者核實，是否指的大陸)半導體製造企業下一階段取得突破的關鍵。

3

人工智慧受資本熱捧

寒武紀成全球首家AI晶元領域獨角獸初創公司

2017年人工智慧的關注度持續升高。中國人工智慧晶元公司也成為金融資本追捧的熱點。2017年8月寒武紀科技完成1億美元A輪融資，由國投創業(A輪領投方)，阿里巴巴創投、聯想創投、國科投資、中科圖靈、元禾原點(天使輪領投方)、湧鏵投資(天使輪投資方)聯合投資，成為全球AI晶元領域第一個獨角獸初創公司。國內另一家人工智慧初創公司地平線機器人也於日前獲得近億元A+輪融資。

點評：簡單搜索網站就可以看到大量類似這樣的信息：2020年全球人工智慧市場規模將超過1000億美元，年均增速約為20%。我國人工智慧市場規模也將達到百億美元量級，年均增速將超過50%……IDC認為，人工智慧生態系統目前在中國產業生態鏈上已經逐步發展完整，並預測2020年中國人工智慧市場規模將達150億元……

然而每當看到這些的時候，筆者總會想起另外一則對清華大學教授、IEEE Fellow王志華的訪談報道：「到目前為止，幾乎所有的AI都是在胡扯。而那些說自己專做AI的，都是純屬忽悠。」

客觀來講，目前的人工智慧，無論技術還是產業，都只是「小荷剛露尖尖角」，尚處於最初級的弱人工智慧時代，距離發展成熟仍有著巨大的差距。對於一個新生的產業來說，資本的支持不可缺少，但是過度的熱捧卻是有害無益。

4

半導體建線

再掀熱潮

2017年12月18日，廈門市海滄區人民政府與杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門共同簽署戰略合作框架協議，按協議約定項目總投資220億元，規劃建設兩條12英寸特色工藝晶元生產線及一條先進化合物半導體器件生產線;8月2日上海華虹(集團)有限公司與無錫市人民政府在無錫舉行戰略合作協議簽約儀式，總投資約100億美元的華虹集團集成電路研發和製造基地項目正式落戶無錫高新區;12月26日廣州首座12英寸晶元製造廠總額70億元的粵芯12英寸晶元製造項目，在中新廣州知識城動工……

點評：2017年中國半導體製造大規模投資建線仍在持續。發展集成電路戰略性產業得到廣泛重視，這是好事。但是相對混亂的佈局與過度投資卻對中國IC產業的整體健康發展是不利的。

5

開個好頭!中微贏得起訴Veeco

專利侵權的關鍵專利有效性審決

中微半導體於2017年7月向福建高院正式起訴 「Veeco上海」，指控其TurboDisk EPIK 700型號的MOCVD設備侵犯了中微的基片託盤同步鎖定的中國專利，要求其停止侵權並主張上億元侵權損害賠償。11月24日國家知識產權局專利複審委作出審查決定書，否決了維易科精密儀器國際貿易(上海)有限公司關於中微專利無效的申請，確認中微起訴Veeco上海專利侵權的涉案專利為有效專利。

點評：國家知識產權局專利複審委的審查決定書無疑使中微專利訴訟案獲得了階段性的關鍵勝利。我們要為中國企業敢於應訴，並且有能力取得國際訴訟的勝利「點贊」。隨著中國半導體產業發展的加快，未來幾年外部發展環境只會更加惡劣，中國企業將迎來更多的國際訴訟。這一點我們要有心理準備，同時做好在實質上的應訴準備。

6

半導體裝備市場擴大

呼喚國產裝備產業崛起

SEMI發布的全球半導體設備市場報告指出，2017年中國大陸半導體行業的投資繼續大幅增長，預計面向半導體設備的投資額將達到54億美元，排名全球第三;預計2018年將達到86億美元，超過中國臺灣地區，成為第二大半導體裝備市場。

點評：隨著中國半導體製造廠大規模投資建設的展開，中國設備市場的重要性進一步提高。但是，另一方面，這也要求中國半導體裝備公司加快提高技術能力。避免本輪大規模的投資成為一場外國設備商的盛宴。

令人欣喜的是，近年來中國半導體設備技術實現?正在提高當中。作為02專項的重點承擔單位，北方華創通過近9年的科技攻關，完成了刻蝕機、磁控濺射、氧化爐、低壓化學氣相沉積、清洗機、原子層沉積等集成電路設備90/55/40/28納米工藝驗證，實現產業化。中微半導體可用於22納米、7納米及更先進工藝晶元製造的Primossc AD-RIE單反應臺多腔介質刻蝕設備成唯一進入臺積電7nm製程的中國大陸本土設備商。

7

國產CPU產品性能取得快速進步

面臨公開市場檢驗

近年來，國產CPU在產品性能上取得較大進步，飛騰、龍芯、申威和兆芯等CPU的單核性能比「十二五」初期提高了5倍，在黨政軍等特定市場領域也取得了突出成績。2017年4月25日龍芯中科公司正式發布「龍芯二代」全系列產品，包括高頻達到1.5GHz的龍芯3A3000/3B3000處理器。龍芯3A3000/3B3000的產品性能超過英特爾凌動系列、威盛、高端ARM系列，訪存帶寬方面達到與國際主流處理器相當的水平。

點評：CPU是電子信息產業核心競爭力的體現。但特定市場終究只是一個開端，只有完全公開的商用與消費市場纔是查驗一個產業、一家公司是否成功的最終標準。中國晶元要想取得發展，CPU等通用晶元是必須攻克的領域。這就要求國產CPU企業再接再厲。

8

封測廠加快產業佈局

分基地不斷開建

2017年國內三大封測廠長電科技、通富微電、華天科天相繼加強了公司產業佈局的力度。8月21，廈門通富微電70億元廈門先進封裝測試產業基地項目啟動。該項目由通富微電子股份有限公司、廈門半導體投資集團有限公司共同投資建設，主要從事Bumping、WLCSP、FC、CP、SiP及三、五族化合物的封裝測試業務，重點服務於「閩三角」及華南市場的重點企業。此外，通富微電也在蘇通、南通崇川、合肥、濱城加緊產業佈局。長電科技則形成了包括新加坡廠(SCS)在內的七大產業基地。華天科技也於2017年年中宣佈在西安投建汽車級功率器件封裝廠，總投資達58億元。

點評：封裝測試在半導體產業鏈中的技術門檻相對較低，是中國在發展半導體產業過程中，優先發展，也是應當做強的重要領域。除加快產業佈局外，技術創新也十分重要。與傳統封裝技術大量依靠人力密集型的生產方式不同，先進封裝技術越來越成為集成電路生產不可或缺的關鍵一環。封測領域的中高端產品佔比代表著一個國家或地區封測業發展水平，推動企業向中高端發展成為做強中國封裝產業的必然路徑。

9

矽片漲價

倒逼國內硅晶圓產業建設進程

從2017年年初開始，半導體產業的關鍵材料之一硅晶圓的價格便不斷上漲，且漲價趨勢快速從12英寸矽片向8英寸與6英寸蔓延。有機構預測，2018年矽片價格的上漲局面仍然有望延續。受此影響，國內掀起一輪硅晶圓熱潮，包括上海新昇的12英寸矽片項目開始進行小批量矽片試產，中環股份在無錫投資大尺寸矽片項目，黃河水電、雲芯硅材推進電子級多晶硅的國產化等。

點評：硅晶圓一直是我國半導體產業鏈的一大短板，目前國內企業只能達到4～6英寸矽片的性能需要，並少量供應8英寸市場，12英寸硅晶圓基本是空白。在市場供給充足之際，這種狀態對整個下游產業或許不會造成重大影響。然而一旦供需失衡，國內一些新建的半導體製造企業或者中小型晶圓廠就有可能陷入產能開出卻無晶圓可用的尷尬局面。因此，提高硅晶圓的國產化率正變得刻不容緩。

10

硅基氮化鎵產線啟動

寬禁帶半導體產業不落後

2017年11月9日，英諾賽科(珠海)科技有限公司舉行8英寸硅基氮化鎵通線投產儀式。這是中國首條實現量產的8英寸硅基氮化鎵生產線。氮化鎵屬於寬禁帶半導體，是極具潛力的半導體材料之一。硅氮化鎵技術能夠提高功率密度和能效，同時縮小器件尺寸，非常適合用於電視機電源和D類音頻放大器等消費電子產品，以及伺服器和電信設備中使用。

點評：IHS發布的市場研究報告稱，面向功率半導體的硅基板GaN技術市場，將以高達50%以上的年均複合增長率(CAGR)成長。到2023年，其市場容量將從2014年的1500萬美元，增至8億美元。中國是世界上最大的半導體產品市場，同時也是產業技術發展最迅速國家。氮化鎵產業將帶來巨大的創新發展機遇。在這一領域中國不應缺席。

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