外资最新报告示警记忆体价格近几周价格恶化速度比预期快，并再度下修南亚科与华邦电评等，使记忆体族群今 (7) 日股价一片惨澹，南亚科 (2408-TW)、华邦电 (2344-TW) 与旺宏 (2337-TW) 开盘便跳空下挫，下跌超过半根跌停板，南亚科创逾 1 年来新低，华邦电创 1 年半来新低，旺宏则是创近 1 年来新低价。

外资出具报告认为，近几周记忆体价格下滑速度较预期快，DRAM 面临需求下滑、库存积累与价格下修压力，第 3 季价格可能持平表现，产业反转将较预期来得快；NAND 则是受到供给过剩影响，第 3 季开始将使厂商营运风险大增，印证先前记忆体涨价趋势可能已告一段落的预测。

外资的南韩半导体研究团队访谈记忆体买卖双方后发现，DRAM 厂在旺季来临前提高库存，积极想办法稳定价格，但采购方需求从 8 月起开始放缓，DRAM 厂因此面临相当大的价格压力，甚至恐拖累 2019 年的毛利率表现。

除 DRAM 外，外资也指出，NOR Flash 价格下滑态势明确，再度下修对南亚科与华邦电的投资评等，分别下调为「中立」与「劣于大盘」。

南亚科第 2 季单季营收创高、达 245.92 亿元，而 7 月与 8 月合并营收已达 163.95 亿元，从目前单月营收表现来看，法人预估，南亚科第 3 季营收表现可望优于第 2 季，再度改写单季营收新猷纪录，但第 4 季在需求成长有限，且供给端集中在下半年开出产能影响，DRAM 价格可能终结连 9 季上扬态势，南亚科第 4 季营收恐难再创高。

受到外资保守看记忆体族群后市影响，记忆体族群今日股价纷纷跳水，南亚科下挫逾 7%，华邦电重挫逾 8%，旺宏则是遭卖压掼至跌停价 28 元。