「底大一級壓死人」的規律是否適用於不同工藝水準製造出來的cmos?

比如以前生產的1英寸1000萬像素的底,能否碾壓現代生產的1/1.7英寸4800萬像素的底?


是的……大的一匹,不同尺寸像素適配於不同應用環境。我的理解是:感測器尺寸越大,越能在低背景下捕捉到更多的光子,同時,像元內積分結構可以做更大,提升信噪比。像素尺寸越小有更高的空間解析度,但好像探測距離會受到影響。

就像JWST的那幾個紅外感測器,10um像素尺寸,4096x4096解析度,16M像素,數字上聽起來比現在48M、64M弱不少,但探測低背景宇宙光線效果肯定吊打小尺寸感測器的(暫不談波長這個因素)

至於工藝影響,除非有特殊工藝比如低功耗低漏電的,讓晶元電子雜訊壓低一個量級;或者特殊工藝能搞出超大積分電容或者不同結構,從積分、放大、ADC形式上有革新,否則也差不多。


工藝好一級壓死人這個事兒從來都沒人提

如果我們非要拿Aptina那個奇怪的1寸1000萬像素的產品,比現在新工藝下的索尼1/1.7,基本上可以說是輸的很全面,索尼DF好!

如果是拿現在的索尼2000萬1寸,比三星3/4寸的1個億,仍然是明顯優勢!


是的,仍然非常大。


從原理上,像素的尺寸越大,其光電二極體收集光子的總量可以越大,而且它在低光的環境下也能捕捉到更多的光子。然而像素尺寸越小,其能表現出來的圖像細節越多。

不同像素應用場景不一樣,相同像素數情況下,大尺寸的像素會應用到像安防攝像頭這樣對低光場景下要求也很高的產品。相反,小尺寸的像素會應用到手機攝像頭的產品,因為對圖像的細節要求很高,同時放在手機上的晶元的面積也是越小越薄越好。


非常大,因為更大的尺寸代表coms能收集更多的光線信息,畫質更好是肯定的


基本上會碾壓,底子基本上大了2.3倍


有影響


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