由於米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會使損耗的時間加長。(Vgs.上升，則導通電阻下降，從而Vds下降)

　　米勒效應在MOS管驅動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某-電壓值後GS電壓有一段穩定值,過後GS電壓又開始上升直至完全導通。為什麼會有穩定值這段呢?因為，在MOS管開通前，D極電壓大於G極電壓，MOS管寄生電容Cgd儲存的電量需要在其導通時注入G極與其中的電荷中和，因MOS管完全導通後G極電壓大於D極電壓。米勒效應會嚴重增加MOS管的開通損耗。(MOS管不能很快得進入開關狀態)

　　所以就出現了所謂的圖騰驅動!!選擇MOS管時，Cgd越小開通損耗就越小。米勒效應不可能完全消失。

MOS管中的米勒平台實際上就是MOSFET處於「放大區」的典型標誌

　　用用示波器測量GS電壓，可以看到在電壓上升過程中有一個平台或凹坑，這就是米勒平台。

　　米勒平台形成的詳細過程

　　米勒效應指在MOS管開通過程會產生米勒平台，原理如下。

　　理論上驅動電路在G級和S級之間加足夠大的電容可以消除米勒效應。但此時開關時間會拖的很長。一般推薦值加0.1Ciess的電容值是有好處的。

　　下圖中粗黑線中那個平緩部分就是米勒平台。

　　刪荷係數的這張圖在第一個轉折點處:Vds開始導通。Vds的變化通過Cgd和驅動源的內阻形成一個微分。因為Vds近似線性下降，線性的微分是個常數，從而在Vgs處產生一個平台。

　　米勒平台是由於mos的gd兩端的電容引起的，即mosdatasheet里的Crss。

　　這個過程是給Cgd充電，所以Vgs變化很小，當Cgd充到Vgs水平的時候，Vgs才開始繼續上升。

　　Cgd在mos剛開通的時候，通過mos快速放電，然後被驅動電壓反向充電，分擔了驅動電流，使得Cgs上的電壓上升變緩，出現平台。

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