一個三極體工作於飽和區時，其飽和壓降的具體大小與三極體的類型、三極體β的大小、三極體基極電流的大小及負載電流的大小都有關係。一般鍺三極體的飽和壓降小於硅三極體（少部分硅管除外）。對於同型號的三極體，若負載電流不變，管子的β越高、基極電流越大，則其飽和電壓Uce越小。

▲ 簡單的三極體驅動電路。

對於現在常用的硅三極體來說，大功率的三極體，其β普遍不高（達林頓管除外），這樣在負載電流及基極電流相同的情況下，大功率三極體的飽和電壓Uce反而不如某些中功率三極體的Uce小。另外，達林頓管內部是兩個管子連接在一起的，其飽和壓降Uce普遍在1～2V以上，並且負載電流越大，其Uce越大。

上圖中的三極體VT為日本公司生產的高β三極體2SD1960，該管採用TO-92封裝，Icm達5A，其β最高可達1000以上。筆者以前做過實測，用該管驅動一個0.8A/12V的小燈泡，在管子的Ib為2.5mA、β為800時，其飽和壓降Uce僅有90mV！常用的8050三極體，其Icm為1.5A，β最高不超過300，若用來驅動上述小燈泡，即使Ib取5mA，其飽和壓降也在0.6V以上。有興趣大家可以實測一下，看看是不是這樣？

▲ 2SD1960三極體的外形。

三極體作為電子開關使用時，我們都希望管子的飽和壓降越小越好，因為三極體處於飽和區時，管耗就是飽和壓降Uce與集電極電流Ic的乘積。Uce越大，管子發熱越嚴重。

▲ 場效應管驅動電路。

在驅動電機、燈泡等大功率負載時，若雙極型三極體的飽和壓降太大，不能勝任，這時可以考慮採用VMOSFET來驅動。上圖所示為N溝道MOS場效應管IRF540的驅動電路。

▲TO-220封裝的IRF540的外形。

IRF540採用TO-220封裝，其耐壓值為100V，ID為33A，PD為130W，導通電阻Rds為44mΩ。

場效應管的導通電阻很重要，在驅動負載時，負載電流與Rds的乘積即為管子的飽和壓降，故我們希望Rds越小越好。一般在耐壓值相同的情況下，管子的ID越大，其Rds就越小。同一個管子，加大柵源電壓UGS，可以減小其飽和壓降。

若想了解更多電子電路知識，請關注本頭條號，謝謝。 11:33 Feb17

大功率管？光有外型，沒有說明什麼材料的，內部結構。所謂的0.7V壓降是指硅材料的產品，極間全部（飽和）導通時的壓降。其他材料的產品可能小於這個值（如鍺管）。當然，也會大於這個值。不同結構的管子，比如達林頓管、IGBT、場效應管的壓降就會不一樣。

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