SSD 和记忆体有望越来越便宜,Micron 96 层 NAND 与 1Y nm DRAM下半年出货量产
Micron 近期的财报均交出不错的成绩单,但对读者而言,能够出现便宜的产品让消费者选购似乎更为实际一些。近日 Micron 举办 2018 第三季会计年度线上财务说明会议,本季营业额达美金 78 亿元,相比去年同期提升 40%,相较上一季也增长 6%。
除了优异的财报结果之外,该公司第三代 3D 堆叠 64 层 NAND 快闪记忆体,预计将于今年第二季开始量产出货,成本近一步下调。该公司也对第四代 3D 堆叠快闪记忆体产品表示开发进度良好,将继续使用 Replacement Gate 制程和 CMOS under the array 结构。
▲3D 堆叠 96 层快闪记忆体和 1y 奈米动态记忆体,均预计于今年下半年量产出货。
Micron 手中另一项重要产品 DRAM 动态记忆体,1x(18)奈米制程预计下半年将成为量产主力,1y(14~16)奈米制程也将于下半年量产出货,更进一步的 1Z(12~14)奈米或是 1α 也在开发当中。在中国邀请记忆体生产厂商喝咖啡之后,记忆体售价涨势受到一定程度的压抑,对于终端消费市场而言,只要未来没有什么重大状况(譬如封装测试厂失火之类的),这态势或许会延续到下半年。